Дипломная работа на тему: Физические основы несения покрытий методом распыления. Физические основы ионного распыления

Введение

При взаимодействии быстрых частиц (ионов) с поверхностью твердого тела (мишени) протекает каскад упругих бинарных столкновений, основным результатом которых является передача атомам мишени энергии и импульса. Если переданная атому энергия превышает энергию связи его с остальными, то атом может покинуть поверхность и перейти в газовую фазу. При этом температура мишени значительно ниже температуры испарения материала, из которого она изготовлена.

Так как столкновения атомов имеют упругий характер, то для такой системы выполняются закон сохранения импульса и кинетической энергии. Тогда, в случае взаимодействия иона с неподвижным атомом подложки, представленном на рисунке 1, можно записать

где mi, mа - масса иона и атома мишени соответственно;vi , vi,1-скорость иона до и после взаимодействия; vа - скорость атома мишени после столкновения; - угол рассеяния.

mi, Еi, рi

Рисунок 1 - Схема взаимодействия иона с атомом мишени

В результате решения приведенной выше системы уравнений получим следующее выражения для энергии, которую передал ион поверхностному атому в результате столкновения:

где Еi - энергия иона.

Анализ выражения (7.8) показывает, что наиболее интенсивно энергообмен происходит при условии равенства масс иона и атома.

Если в качестве бомбардирующей частицы используются электроны, масса которых, как известно, значительно меньше массы атомов, то из (1) получим ,т. е. в этом случае передача энергии неэффективна, так как

Полученный результат позволяет сделать вывод о том, что распыление твердых тел под действием электронов практически невозможно.

Установлено, что если Еа≥Еd (Еd - пороговая энергия смещения атома), то атом покидает узел кристаллической решетки и возникает смещенный атом отдачи. Для большинства металлов Еd≈10…50 эВ. Так, например, для тантала Еd=32 эВ, для хрома -28 эВ, для алюминия- 16,5 эВ, вольфрама-50 эВ. При обычных режимах распыления (энергия ионов Еi=0,1…10 кэВ) условие, определяющее вероятность образования атомов отдачи, выполняется.

Под действием одного иона в мишени происходит несколько упругих столкновений, при этом среднее число смещенных атомов может быть определено по формуле

Например, при распылении ионами с Еi= 5 кэВ число смещенных атомов в кристаллической решетке, имеющих Еd=25 эВ,

Поверхностные атомы отдачи, получившие достаточно высокую энергию, уходят с поверхности и образуют поток распыляемых частиц. Ионное распыление является процессом поверхностным. Поток распыленных частиц формируется из атомов, которые находятся в первом, втором и только при больших значениях энергии ионов - в третьем слое.

Эффективность ионного распыления характеризуется коэффициентом распыления S, который можно определить как число атомов, распыляемых при действии на мишень одного иона,

S=vр/Ii,

где vр- скорость распыления, ат.м-2с-1; Ii- плотность потока ионов, ион. м-2.с-1.

В теории Зигмунда для электронов с энергией Еi <1 кэВ получено следующее выражение для коэффициента распыления:

где ; α- зависит от соотношения масс иона и атома; - энергия связи поверхностного атома (энергия сублимации).

Коэффициент распыления достаточно сильно зависит также от угла падения ионов:

Параметр f определяется соотношением масс. При

; при .

Как правило, наибольшее распыление происходит при углах падения ионов 60…75°. При наклонном падении на поверхность монокристаллов зависимость S от угла падения ионов имеет более сложный характер.

На основании полученных результатов можно сформулировать следующие основные направления интенсификации процесса распыления:

- увеличение плотности ионного тока;

- увеличение энергии ионов;

- распыление при оптимальных углах падения ионов.

Важным параметром распыления частиц является их пространственное распределение.

В общем случае угловое распределение распыленных атомов может быть описано выражением

I(φ)= I(0)соsnφ, (7.9)

где n - параметр, зависящий от природы материала мишени (всегда больше единицы).

Отметим, что при испарении металлов угловое распределение описывается законом косинуса, т. е. выражением (7.9) при n=1.

При распылении монокристаллических поверхностей пространственное распределение распыленных атомов является более сложным. Оно характеризуется, в частности, наличием нескольких максимумов на полярных диаграммах распыления.

Ряд особенностей наблюдается при распылении сплавов, особенно если компоненты сплава сильно отличаются по массе. В этом случае при определенных условиях проявляется селективность распыления и, в итоге, - отклонение химических составов нанесенного покрытия и распыляемой мишени.

Методы распыления имеют следующие основные преимущества:

- Возможность получения покрытий из различных химических соединений.

- При распылении мишени из многокомпонентных сплавов химический состав покрытия и распыляемой мишени близки.

- Высокий коэффициент использования паров (распылению подвергаются плоские поверхности, и в результате формируются направленные нормально к поверхности мишени потоки летучих частиц).

- По этой же причине достигается высокая равнотолщинность покрытий.

- Покрытия характеризуются высокой адгезией, так как распыленные атомы имеют достаточно высокую скорость и степень ионизации.

- Высокая автоматизация процесса.

- Устройства для нанесения покрытий методом распыления, как правило, и не содержат сложные системы подачи вещества в зону генерации газовой фазы.

Недостатки методов распыления следующие:

1.Низкая скорость осаждения покрытий. Для большинства методов, кроме магнетронного, она составляет до 1…2 нм/с.

2.Пленки характеризуются достаточно высоким уровнем механических напряжений.

3.Поверхность подложки в ряде случаев подвергается действию высокоэнергетичных частиц, которые могут вызвать образование радиационных дефектов.

4.Рабочее давление в камере при реализации ряда методов нанесения составляет 1…10 Па, поэтому условия формирования пленок нельзя считать достаточно чистыми.

Все методы распыления, как уже отмечалось, условно разделяют на 2 группы:

- ионно-лучевые;

- плазмо-ионные или ионно-плазменные.

Общая схема ионно-лучевых методов распыления представлена на рисунке 2.

Рисунок 2 - Схема ионно-лучевого распыления: 1-источник ионов; 2-распыляемая мишень; 3-покрытие; 4 - подложка

Поток ионов, сформированный с помощью отдельного источника, направляется на поверхность мишени и вызывает ее распыление.

Характерная особенность ионно-лучевого распыления заключается в том, что процесс образования газовой фазы происходит, если даже на поверхность мишени не подается электрический потенциал (потенциал смещения).

При плазмо-ионном распылении мишень находится в сильно ионизированной плазме и на нее подается отрицательный потенциал. Электрическое поле мишени вытягивает из плазмы подложки ионы, которые при бомбардировке поверхности мишени и вызывают ее распыление.

В зависимости от параметров создаваемой плазмы различают следующие основные разновидности ионно-плазменного распыления: катодное, магнетронное, высокочастотное, распыление в несамостоятельном газовом разряде.

В настоящее время разработан и очень часто на практике используется целый ряд комбинированных методов, сочетающих особенности приведенных выше способов.

Оглавление

- Физические основы нанесения покрытий методом распыления

- Физические основы ионного распыления

- Катодное распыление

- Магнетронное распыление

- Высокочастотное распыление

- Получение покрытий распылением в несамостоятельном газовом разряде

- Методы контроля параметров осаждения покрытий

- Вакуумная металлизация полимерных материалов

- Особенности вакуумной металлизации полимерных материалов

- Технология вакуумной металлизации полимерных материалов

- Список использованных источников 27

Список литературы

1. Ткачук Б.В., Колотыркин В.М. Получение тонких полимерных пленок из газовой фазы / Ткачук Б.В., Колотыркин В.М. - М.: Химия, 1977. - 216 с.

2. Липин Ю.В. Технология вакуумной металлизации полимерных материалов / Ю.В. Липин, А.В. Рогачев, С.С. Сидорский, В.В. Харитонов - Гомель: БИТА, 1994.

3. Каргин В.А., Слонимский Г.Л. Краткие очерки по физикохимии полимеров / Каргин В.А., Слонимский Г.Л. - М.: Химия, 1967.

4. Рогачев А.В. Зарождение и рост пленок металлов на поверхностях полимеров в вакууме // Физика и химия обработки материалов / Рогачев А.В. 1982, №6