Дипломная работа на тему: Общие сведения о тиристорах. Типы тиристоров. Понятие о динисторах

Введение

Широкое применение полупроводниковых приборов в радиоэлектронных устройствах требует разработки инженерных методов проектирования радиоэлектронных схем на этих приборах и систематизации накопленного в разработке аппаратуры опыта.

Тиристоры - полупроводниковые приборы с четырехслойной р-п-р-п структурой обладают такими свойствами, как быстродействие, достаточно большие рабочие напряжения и токи, мгновенная готовность к работе, высокий КПД, большой срок службы и др., которые обеспечили им широкое распространение в электронике, электротехнике, автоматике и в ряде других областей техники. По принципу действия полупроводниковые приборы с четырехслойной структурой существенно отличаются от транзисторов и в электрических устройствах действуют как полупроводниковые ключи, которые открываются и закрываются при кратковременной подаче соответствующих сигналов. Эти полупроводниковые приборы обладают замечательным свойством "запоминать" заданное им внешним сигналом электрическое состояние.

Разработанный еще в конце 50-х годов мощный тиристор благодаря своим свойствам длительное время соответствует требованиям технического прогресса. Возможности тиристора как переключающего прибора в то время соответствовали номинальной мощности порядка нескольких сотен ватт, а современные тиристоры имеют мощность переключения порядка мегаватта. По мере совершенствования технологии производства монокристаллического кремния появились специальные, так называемые запираемые тиристоры, фототиристоры и сравнительно недавно разработанные управляемые полем тиристоры или тиристоры со статической индукцией [4].

Оглавление

- Введение 2

- Общие сведения о тиристорах

- Типы тиристоров

- Понятие о динисторах

- Вольтамперная характеристика динистора

- Расчет параметров и проектирование тиристора на основе кремния динистора

- Некоторые параметры динистора

- Расчет параметров динистора

- Выбор полупроводникового материала

- Время жизни неосновных носителей заряда

- Проектирование структуры

- р-база Р2

- n-база N1

- 2.5.3 р-Р1 и n-эмиттеры N2 39

- Выводы 41

- Список литературы 42

Заключение

В данной курсовой работе:

- был обоснован выбор кремния;

- расчитанно время жизни не основных носителей зарядов;

- спроектирована структура тиристора на основе динистора кремния.

Список литературы

1. Нiконова З.А., Небеснюк О.Ю. Твердотiла електронiка. Конспект лекцiй для студентiв напрямку "Електронiка" ЗДIА/ Запорiжжя: Видавництво ЗДIА, 2002. - 99с.

2. Твердотiла електронiка. Навчальний посiбник до курсового проекту для студентiв ЗДIА спецiальностi "Фiзична та бiомедична електронiка" денної та заочної форм навчання /Укл: З.А. Нiконова, О.Ю. Небеснюк,, М.О. Лiтвiненко, Г.А. Слюсаревська. Запорiжжя, 2005. - 40с.

3. Батушев В. А. Электронные приборы. - М. , "Высшая школа" 1980. - 383 с.

4. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы. - М.: Энергоатомиздат, 1990. - 576 с.

5. Пасынков В. В., Чиркин Л. К., Шинков А. Д. Полупроводниковые приборы. - М.: Высшая школа, 1981. - 431 с.

6. Пасынков В. В., Чиркин Л. К. Полупроводниковые приборы. М.: Высшая школа, 1987г. 379 с.

7. Аваев Н.А., Наумов Ю.Е., Фролкин В.Т. Основы микроэлектроники. - М.: Радио и связь, 1991г. - 288 с.

8. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность. - М.: Высшая школа, 1986.- 464 с.

9. Ефимов И.Е., Горбунов Ю.И., Козырь И.Я. Микроэлектроника. Проектирование, виды микросхем, функциональная электроника. - М.: Высшая школа, 1987. - 416 с.

10. Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. - 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Высшая школа, 1983. - 384 с.

11. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. - М.: Сов. радио, 1980. - 424 с.

12. Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под ред. Н. Н. Горюнова - М.: Энергоатомиздат, 1985г. - 904 с.

13. Ю П. Основы физики полупроводников /П. Ю, М. Кардона. Пер. с англ. И.И. Решиной. Под ред. Б.П. Захарчени. 3-е изд. М.: Физматлит, 2002. 560 с.

14. Федотов Я. А. Основы физики полупроводниковых приборов. М., "Советское радио", 1970. - 392 с.

15. Тейлор П. Расчет и проектирвание тиристоров: Пер с англ. - М.: Энергоатомиздат, 1990. 208с.

16. Гершунский Б.С. Основы электроники и микроэлектроники: Учебник. - 4-е изд., К.: Вища школа,1983 г . -384 с.