Курсовая работа на тему: Анализ исходных данных, выбор и обоснование конструктивно-технологического варианта исполнения

Введение

Повышение эффективности производства радиоэлектронной аппаратуры и улучшение ее качества может быть достигнуто лишь на основе широкого применения интегральных микросхем (ИМС).

Интегральные микросхемы обладают следующими достоинствами:

1) высокой надежностью. Увеличение надежности ИМС по сравнению с электронными устройствами на печатных платах обусловлено гораздо меньшим количеством внутрисхемных паяных соединений, имеющих высокую интенсивность отказов, которые снижают вероятность безотказной работы. Электрорадиоэлементы в интегральных микросхемах из-за специфики технологии изготовления имеют гораздо меньшие размеры и вес, а, следовательно, они более устойчивее к механическим нагрузкам, поэтому их интенсивность отказов с учетом механических воздействий ниже;

2) малыми габаритами и весом. Следовательно, изделия, изготовленные на основе ИМС, также будут обладать меньшими габаритами и весом;

3) низким энергопотреблением;

Оглавление

- Введение.

- Анализ исходных данных, выбор и обоснование конструктивно-технологического варианта исполнения микросхемы.

- Разработка коммутационной схемы.

- Конструирование элементов микросхемы.

- Расчет транзисторов с применением ЭВМ.

- Расчет диода.

- Расчет резисторов.

- Разработка топологии микросхемы.

- Тепловой расчет микросхемы в корпусе, расчет надежности и паразитных связей.

- Расчет паразитных связей.

- Оценка теплового режима работы ИМС.

- Расчет надежности ИМС.

- Разработка технологии изготовления микросхемы.

- Заключение.

- Список литературы.

Заключение

В данном курсовом проекте была разработана конструкция и технология полупроводниковой ИМС на биполярном транзисторе. Были рассчитаны топологические размеры элементов и разработана топология ИМС с учетом всех ограничений и конструктивно-технологических требований. Исходя из разработанной топологии были рассчитаны паразитные связи, надежность и тепловой режим ИМС. По полученным значениям можно сделать вывод, что разработанная микросхема будет отвечать всем требованиям и безотказно работать в течении 50000 ч с вероятностью 0,99273. Входе работы над курсовым проектом подробно описана технология получения полупроводниковой ИМС на биполярном транзисторе.

Список литературы

- Матсон Э.А. Конструкции и технология микросхем: Учеб. пособие. - Мн.

- Высш. шк.

- Матсон Э.А., Крыжановский Д.В. Справочное пособие по конструированию микросхем. - Мн.: Высш. шк.

- Уирование и технология микросхем .Курсовое проектирование: е / Под ред. ва. - М.

- Микроэлектроника: Учеб. пособие для втузов. В 9 кн. / Под ред. Л.А. Коле-дова. Кн. 5. И.Я. Козырь. Качество и надежность интегральных микросхем. -Мн.: Высш. шк.