Магистерская диссертация на тему: Основные области применения. Основные характеристики датчиков температуры

Введение

Стремительное развитие электроники и вычислительной техники оказалось предпосылкой для широкой автоматизации самых разнообразных процессов в промышленности, в научных исследованиях, в быту. Реализация этой предпосылки в значительной мере определялась возможностями устройств для получения информации о регулируемом параметре или процессе, т.е. возможностями датчиков. Датчики, преобразуя измерительный параметр в выходной сигнал, который можно измерить и оценить количественно, являются как бы органами чувств современной техники.

Оглавление

- 1. введение

- Основные области применения

- Основные характеристики датчиков температуры

- Основные типы полупроводниковых датчиков температуры

- Датчики температуры на основе диодов и транзисторов

- Датчики температуры на основе терморезисторов

- Пленочные полупроводниковые датчики температуры

- 5. заключение

- 6. список литературы

Заключение

Анализ литературных источников позволяет сделать вывод о все более широком использовании в системах регулирования полупроводниковых датчиков температуры, разнообразие которых позволяет решить множество сложных задач. Появившиеся в последнее время датчики на изолирующих подложках типа КНС-структур позволяют во многих специфических случаях заменить традиционные металлические (например платиновые) датчики и тем самым удешевить измерения и повысить надежность систем.

Список литературы

1. Трофимов Н.А., Лаппо В.В. Измерение параметров теплофизических процессов в ядерной энергетике.- М.: Атомиздат, 1979.

2. Датчики теплофизических и механических параметров. Справочник, т.1, кн.1/ Под общ.ред. Коптева Ю.Н., под ред. Багдатьева Е.Е., Гориша А.В., Малкова Я.В.- М.: ИПЖР, 1998.

3. Виглеб Г. Датчики. М.: Мир, 1989.

4. Федотов Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов. М.: Сов.радио, 1969.

5. Фогельсон И.Б. Транзисторные термодатчики. М.: Сов.радио, 1972.

6. Гордов А.Н., Жагулло О.М., Иванова А.Г. Основы температурных измерений. М.: Энергоатомиздат, 1992.

7. Шефтель И.Т. Терморезисторы. М.: Наука, 1973.

8. Орлова М.П. Низкотемпературная термометрия. М.: Изд.стандартов, 1975.

9. Зарубин Л.И., Немиш Ю.И. Полупроводниковая криогенная термометрия. Обзор в кн. Полупроводниковая техника и микроэлектроника. Киев: Наукова думка, 1974, вып.16.

10. Вайнберг В.В., Воробкало Ф.М., Зарубин Л.И. Полупроводниковый материал для термометров сопротивления на диапазон (14…300) К. Полупроводниковая техника и микроэлектроника, Киев, 1979, вып.30.

11. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн.1, М.: Мир, 1984.

12. Велшек Я. Измерение низких температур электрическими методами. М.: Энергия, 1980.

13. Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир, 1977.

14. Соколова А.А., Смирнов Н.И., Ларионов И.Б. Высокочувствительные датчики температуры из кремния, легированного золотом. -В кн. Совершенствование средств и методики измерения температуры при стендовых испытаниях изделий. Тезисы отраслевого семинара. Загорск, 1978.

16. Raabe G. Silizium temperatur sensoren von -50 С his 350 С - NTG - Faahber, 1982, №79.

17. Entre -55 С еt 300 С penser аu copteur dе temperature silizium composauts.- Techniques d'applications mesures - 15, №4, 1985.

19. Папков В.С., Цыбульников М.Б. Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе. М.: Энергия, 1979.

20. Суханова Н.Н., Суханов В.И., Юровский А.Я. Полупроводниковые термопреобразователи с расширенным диапазоном рабочих температур. Датчики и системы, №7, 8, 1999.