Дипломная работа на тему: Гетеропереход сds-сu, его свойства и технология изготовления

Введение

Исследование гетеропереходов представляет собой важный раздел физики полупроводниковых приборов, который сформировался в последние четыре десятилетия на основе изучения эпитаксиального выращивания полупроводников.

Барьеры на диаграмме энергетических зон, связанные с различием в ширине запрещенной зоны двух полупроводников открывают новые возможности для конструкторов.

Гетеропереходы используются в лазерах, вычислительной технике, интегральных схемах. Электрооптические свойства гетеропереходов нашли практическое применение в фототранзисторах и в солнечных элементах.

Однако в этой области имеется еще много нерешенных проблем, многие классы гетеропереходов еще ожидают своего тщательного изучения и применения.

Основная часть достижений в исследованиях гетеропереходов связана с использованием гетеропары GaAs-AlGaAs, в которой осуществлен так называемый идеальный гетеропереход. При этом использованы полупроводники с однотипной кристаллической решеткой, которые имеют настолько близкие значения постоянных своих решеток, что на границе не возникает электрически активных дефектов.

Однако физика и техника гетеропереходов имеют и другой важный аспект - создание, исследование и практическое применение неидеальных гетеропереходов. Такие структуры образованы поликристаллическими полупроводниками с несовпадающими константами кристаллических решеток, зачастую и различных решеточных симметрии. В неидеальных гетеропереходах наблюдается большой набор различных эффектов и явлений, связанных с различными свойствами полупроводников по обе стороны границы, а также с появлением большого количества электрически активных дефектов на гетерогранице, принимающих участие в токопереносе, поглощении и излучении световых квантов.

Перспективность практического применения неидеальных гетеропереходов связана в первую очередь с более экономичной технологией создания поликристаллических гетероструктур в сравнении с монокристаллическими.

Одним из направлений в изучении неидеальных гетеропереходов является возможность применения критериев, разработанных в классической фотографической сенситометрии, к преобразователям оптического изображения в электрический сигнал на основе гетероперехода CdS-Cu2S.

Целью данной работы является создание математической модели характеристической кривой и расчет основных сенситометрических характеристик (γ-коэфициент контрастности и S-фоточувствительность) формирователя сигнала изображения (ФСИ) на основе гетероперехода CdS-Cu2S, используя в качестве исходных данных характеристики локальных центров в гетеропереходе.

Оглавление

- Введение. 3

- Гетеропереход cds-cu2s, его свойства и технология изготовления

- Общие свойства гетеропереходов

- Модели токопереноса в гетеропереходе CdS - Cu2S

- Фотоэлектрические свойства гетероперехода CdS-Cu2S

- Механизмы выброса захваченного заряда в ОПЗ гетероперехода CdS-Cu2S

- Технология изготовления гетеропары CdS-Cu2S

- Экспериментальное исследование сенситометрических характеристик гетероперехода cds-cu2s и их компьютерное моделирование

- Общие понятия о сенситометрии

- Описание экспериментальной установки

- Исследование сенситометрических характеристик преобразователя изображения на основе гетероперехода CdS-Cu2S

- Моделирование и компьютерный расчет характеристических кривых

- Выводы 37

- Литература. 38

Заключение

Преобразователь оптического изображения в электрические сигналы на основе гетероперехода СdS-Cu2S может быть использован для регистрации слабых оптических изображений с последующей записью их элементов в память ЭВМ с возможной коррекцией фоточувствительности. Так как в данном устройстве считывание изображения производится ИК - светом, то для него не требуется вакуум и высокое напряжение. Благодаря возможности изготовления преобразователя большой площади и его высокой чувствительности - вероятной областью применения такого устройства может быть регистрация изображений, создаваемых крупными телескопами при астрономических наблюдениях.

ФСИ на основе гетероперехода СdS-Cu2S можно охарактеризовать с помощью классических сенситометрических характеристик, разработанных для фотографических слоев.

Спектральное распределение светочувствительности позволяет охарактеризовать формирователь сигналов изображения на основе ГП СdS-Cu2S как зеленочувствительный по общепринятой классификации для фотографических слоев с коэффициентом контрастности g= 0,55 и фоточувствительностью 16 единиц ГОСТа.

Рассчитанная на компьютере математическая модель характеристической кривой довольно точно повторяет экспериментальные данные, что говорит о пригодности ее для описания подобных характеристик любых ФСИ на основе гетероперехода СdS-Cu2S, если известны параметры гетероперехода Sf, mn ,е, d, Nd, Iкз0 и W0.

Список литературы

Шарма Б.Л., Пурохит Р.К., Полупроводниковые гетеропереходы. //М.: Мир, 1979.

Зи С., Физика полупроводниковых приборов. //М.:Мир,1984.

Виноградов М.С., Туннельно-рекомбинационные процессы в гетеропереходе сульфид кадмия - сульфид меди. //Дис. ... канд. физ.-мат. наук. - Одесса, 1986.

Чопра К., Дас С.,Тонкопленочные солнечные элементы. //М.- Мир, 1986.

Борщак В.А., Влияние дефектов области пространственного заряда на явления переноса в CdS-Cu2S фотопреобразователях. //Дис. ... канд. физ.-мат. наук, Одесса,1991.

Борщак В.А., Василевский Д.Л., Токоперенос по локализованным состояниям в неидеальных гетероструктурах. //Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-1990. Вып. 17.

Василевский Д.Л., Борщак В.А., Сердюк В. В., Влияние туннельно-рекомбинационного токопереноса на ЭДС холостого хода гетерофотоэлементов. // Фотоэлектроника.-1991. Вып.4.

Виноградов М.С, Борщак В.А., Василевский Д.Л., Туннельный механизм потерь в гетерофотоэлементах. //Электронная техника.-Сер.2: Полупроводниковые приборы.-1987.-Вып. 1(186).

Василевский Д.Л., Фотоэлектрические свойства неидеальных гетеропереходов. //Фотоэлектроника.-1988. Вып.2.

Савелли М., Бугнот Дж. Проблемы создания фотоэлементов на основе CdS-Cu2S. //Преобразование солнечной энергии. - М.: Энергоиздат, 1982.

Чибисов К.В. Общая фотография. //М.: Искусство, 1984.

Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника: свойства материалов. //Киев: Наукова думка, 1975.

Василевский Д.Л., Вайтош Р., Нанаи Л., Перспективность CdS-Cu2S фотопреобразователей при больших уровнях возбуждения. //Фотоэлектроника.-1990. Вып.3.

Сердюк В.В., Чемересюк ГГ., Терек М. Фотоэлектрические процессы в полупроводниках. // Киев-Одесса: Вища школа, 1982.

Фаренбрух А., Аранович Дж., Гетеропереходы и поверхностные явления в фотоэлектрических преобразователях. //Преобразование солнечной энергии.- М.: Энергоиздат, 1982.

Фаренбрух А., Бьюб Р. Солнечные элементы: теория и эксперимент. //М.: Энергоиздат, 1987.

Фонаш С., Ротворф А. Солнечные элементы с гетеропереходом. //Современные проблемы полупроводниковой фотоэнергетики. М.:Мир, 1988.

Хилл Р., Микан Дж. Солнечные элементы на основе сульфида кадмия и меди. //Современные проблемы полупроводниковой фотоэнергетики. - М.: Мир, 1988.

Шик А.Я., Шмарцев Ю.В., Фотоэлектрические свойства неидеальных гетеропереходов. //Физика и техника полупроводников. - 1981.-Т.15, Вып.7.