Магистерская диссертация на тему: Физические особенности процесса ионного легирования. Анализ влияния технологических параметров

Введение

Легирование полупроводника примесями проводится с целью создания различных приборных структур за счет изменения его электрофизических свойств: типа электропроводности, удельного сопротивления и других характеристик.

Реализованные и потенциальные преимущества ионного легирования позволяют: осуществлять процесс с высокой производительностью; создавать практически любые профили распределения за счет ступенчатого легирования; совмещать процесс легирования с другими технологическими процессами поверхностей обработки кристалла; получать прецизионное формирование профиля полупроводниковых структур. С другой стороны, ионное легирование имеет недостатки и ограничения. Есть определенные трудности в проведении процесса легирования, связанные с нарушениями, созданными ионной бомбардировкой, и окончательным местоположением внедренных ионов. Как правило, необходимо устранить эти нарушения в виде смещенных из узлов кристаллической решетки атомов полупроводниковой мишени и в то же время сделать внедренные атомы примеси электрически активными. Обычно это достигается частичным или полным отжигом. К другим ограничениям следует отнести трудность создания и воспроизведения глубоких легированных областей, сложность обработки больших полупроводниковых пластин из-за расфокусировки при существенных отклонениях ионных пучков.

Большое число регулирующих параметров процесса ионного легирования (доза, тип, энергия ионов, температура и среда отжига и др.) позволяют в широких пределах изменять свойства легированных слоев, но наряду с этим требуют глубокого физического понимания процессов внедрения ионов, их поведения в кристаллической решетке, кинетики образования и устранения радиационных дефектов, что необходимо для высококачественного технологического моделирования в конечном итоге эффективной реализации приборных структур и схем в интегральном исполнении. [5]

Оглавление

- Введение

- Физические особенности процесса ионного легирования

- Анализ влияния технологических параметров на процесс ионной имплантации

- Распределение внедренных примесных атомов

- Радиационные дефекты

- Отжиг радиационных дефектов

- Схема устройства для ионной имплантации

- Возможности математического моделирования процесса ионной имплантации

- Методы моделирования Список используемой литературы

Список литературы

- Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств - М.: Радио и связь, 1991. - 528 с.

- Технология ионного легирования Под ред. С. Намбы: Перевод с японского - М.: Сов радио, 1974 - 160с.

- Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов в ИМ - М.: Высш. школа, 1986. - 320с.

- Зорин Е.И. Ионное легирование полупроводников - М.: Энергия 1975. - 128с.

- Бубенников А.Н. Моделирование интегральных микротехнологий, приборов и схем - М.: Высшая школа 1989. - 320с.