Курсовая работа на тему: Технология материалов и изделий электронной техники

Введение

Содержание работы.

В данной курсовой работе разрабатывается технологический процесс получения легированного монокристалла ФГДЦЧ-5-17, на 20% компенсированного теллуром, с разбросом концентрации носителей заряда по длине слитка не более ±50%. Рассматривается процесс синтеза материала и условия легирования, режим роста монокристалла.

Исходные данные

Разработать технологический процесс, рассчитать условия легирования и режимы роста монокристалла ФГДЦЧ -5-17, на 20% компенсированного теллуром, длиной 400 мм, диаметром 50 мм с разбросом концентрации носителей заряда по длине слитка не более р/р = 50%.

Определить концентрацию и массу легирующей примеси, перераспределение остаточных примесей, если их концентрация в исходном материале составляет цинк 10-4 масс. %. Определить выход годного материала. Рассчитать изменение степени компенсации по длине кристалла.

Оглавление

- Введение

- Основные свойства материалов

- Применение полупроводникового GaP

- Обзор современного состояния технологии производства полупроводниковых соединений

- Обоснование выбора метода выращивания GaP

- Описание метода Чохральского для выращивания фосфида галлия

- Расчетная часть

- Схема установки по выращиванию кристаллов методом Чохральского Выводы

- Список использованной литературы

Список литературы

1. Производство полупроводниковых материалов. Нашельский А.Я.: Учебное пособие для подготовки рабочих. - Изд. 2-е, перераб. и доп. - М.: Металлургия, 1989.

2. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф.: Учебник для вузов. - Изд. 3-е. - СПб.: Лань, 2003.

. Технология и автоматизация производства материалов и изделий электронной техники. Б.Л. Антипов, Н.А. Смирнова, Е.Л. Солодовникова, В.С. Сорокин: Учеб. Пособие - СПб.: СПбГЭТУ, 1992.

. Справочник по электротехническим материалам. Том 3. Корицкий Ю.В., Пасынков В.В., Тареев Б.М. - Изд. 3-е перераб. - Ленинград: Энергоатомиздат, 1988.