Курсовая работа на тему: Модель биполярного транзистора БТ в программе схемотехнического анализа РSрiсе

Введение

В настоящее время машинные методы все шире используются при разработке радиоэлектронной аппаратуры. Особенно большое эти методы имеют при проектировании интегральных схем (ИС), что обусловлено их сложностью, наличием паразитных связей между компонентами.

Точность машинного расчета характеристик любой ИС практически полностью определяется точностью используемых математических моделей элементов схемы. Биполярный транзистор - один из самых распространенных приборов в радиоэлектронике, соответственно модели биполярного транзистора (БТ) есть во всех современных моделирующих программах.

При моделировании различных схем на БТ важно знать его основные параметры, способы их измерения и определения, зависимости этих параметров от различных факторов. Поэтому целью данного курсового проекта стало изучение принципов построения БТ на примере известной программы схемотехнического моделирования PSpice, которая является основой системы OrCAD 9.2.

Оглавление

- Введение

- Модель биполярного транзистора БТ в программе схемотехнического анализа PSpice

- Модель биполярного транзистора в статическом режиме работы

- Уравнения, описывающие статические характеристики транзистора

- Параметры, описывающие статическую модель БТ

- Методы экстракции статических параметров модели БТ из результатов измерения статических характеристик и параметров

- Динамическая модель БТ в PSpice

- Уравнения, описывающие электрические характеристики БТ в динамическом режиме

- Параметры модели БТ в динамическом режиме

- Методы экстракции динамических параметров модели БТ из результатов измерения динамических характеристик и параметров

- Зависимость параметров модели БТ от температуры и площади Заключение

- Список использованных источников

- Приложение А

Заключение

В результате проведенной работы изучена РSрiсе модель БТ и параметры для ее описания. В данном проекте были получены основные соотношения для расчета некоторых параметров модели транзистора, зависимости этих параметров от температуры и конструкции, рассмотрены методы экстракции параметров модели из экспериментальных характеристик.

Список литературы

1 Massobrio G., Antognetti Р. Semiconductor Device Modeling with SPICE. Second Edition. McGraw-Hill, Inc. 1988. - 479 р.

2 Архангельский А.Я. PSpice и Design Center. В 2-х ч. Часть 1. Схемотехническое моделирование. Модели элементов. Макромоделирование. Учебное пособие. - М.: МИФИ, 1996. - 236 с.

3 Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем: Пер. с англ. - М.: Мир, 1989. - 630 с., ил.

4 Носов Ю.Р. и др. Математические модели элементов интегральной электроники. - М.: Сов. Радио. 1976. - 304 с.

5 Разевиг В.Д. Система сквозного проектирования электронных устройств Design Lab 8.0. - М.: Солон 1999. - 698 с.