Дипломная работа на тему: Технология изготовления кристаллов полупроводниковых интегральных микросхем

Введение

Технология изготовления интегральных микросхем представляет собой совокупность механических, физических, химических способов обработки различных материалов (полупроводников, диэлектриков, металлов), в результате которой создается ИС.

Повышение производительности труда обусловлено в первую очередь совершенствованием технологии, внедрением прогрессивных технологических методов, стандартизацией технологического оборудования и оснастки, механизацией ручного труда на основе автоматизации технологических процессов. Значимость технологии в производстве полупроводниковых приборов и ИС особенно велика. Именно постоянное совершенствование технологии полупроводниковых приборов привело на определенном этапе ее развития к созданию ИС, а в дальнейшем - к широкому их производству.

Производство ИС началось примерно с 1959 г. На основе предложенной к этому времени планарной технологии. Основой планарной технологии послужила разработка нескольких фундаментальных технологических методов. Наряду с разработкой технологических методов развитие ИС включало исследования принципов работы их элементов, изобретение новых элементов, совершенствование методов очистки полупроводниковых материалов, проведение их физико-химических исследований с целью установления таких важнейших характеристик, как предельные растворимости примесей, коэффициенты диффузии донорных и акцепторных примесей и др.

За короткий исторический срок современная микроэлектроника стала одним из важнейших направлений научно-технического прогресса. Создание больших и сверхбольших интегральных микросхем, микропроцессоров и микропроцессорных систем позволило организовать массовое производство электронных вычислительных машин высокого быстродействия, различных видов электронной аппаратуры, аппаратуры управления технологическими процессами, систем связи, систем и устройств автоматического управления и регулирования.

Микроэлектроника продолжает развиваться быстрыми темпами, как в направлении совершенствования полупроводниковой интегральной технологии, так и в направлении использования новых физических явлений.

Оглавление

- Введение

- Аналитический обзор 1.1 Интегральные схемы

- Требования к полупроводниковым подложкам

- Характеристика монокристаллического кремния

- Обоснование применения монокристаллического кремния

- Технология получения монокристаллического кремния

- Получение кремния полупроводниковой чистоты

- Выращивание монокристаллов

- Механическая обработка монокристаллического кремния

- Калибровка

- Ориентация

- Резка

- Шлифовка и полировка

- Химическое травление полупроводниковых пластин и подложек

- Операция разделения подложек на платы

- Алмазное скрайбирование

- Лазерное скрайбирование

- Разламывание пластин на кристаллы Часть II. Расчет

- Заключение

- Список используемой литературы

Заключение

В данной курсовой работе рассмотрена технология изготовления плат полупроводниковых интегральных микросхем. Полупроводниковая интегральная микросхема - это микросхема, элементы которой выполнены в приповерхностном слое полупроводниковой подложки. Эти ИС составляют основу современной микроэлектроники. Размеры кристаллов у современных полупроводниковых интегральных микросхем достигают мм2. чем больше площадь кристалла, тем более многоэлементную ИС можно на ней разместить. При одной и той же площади кристалла можно увеличить количество элементов, уменьшая их размеры и расстояния между ними.

В курсовой работе был разработан технологический процесс для изготовления кристаллов полупроводниковых интегральных микросхем из монокристаллического кремния. При этом коэффициент использования материала для рассмотренных производственных условий составил 0,722. Это говорит о том, что технологичность производства находится на довольно высоком уровне, особенно на этапе обработки заготовок, т. к. выход годного по обработке равен 81%. Значение коэффициента использования материала довольно высоко, хотя данный технологический процесс был сравнительно недавно внедрен на производстве.

Список литературы

1. Березин А.С., Мочалкина О.Р.: Технология и конструирование интегральных микросхем. - М. Радио и связь, 1983. - 232 с., ил.

2. Готра З. Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. - М.: Радио и связь, 1991. - 528 с.: ил.

3. Коледов Л. А. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок: Учебник для вузов. - М.: Радио и связь,1989. - 400 с., ил.

4. Конструирование и технология микросхем. Курсовое проектирование.: под ред. Л. А. Коледова. - М.: Высш. шк., 1984. - 231 с., ил.

5. Степаненко И. П. Основы микроэлектроники: Учебное пособие для вузов. - 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Лаборатория Базовых Знаний, 2000 - 488 с., ил.

6. Черняев В. Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров: Учебник ля вузов. - 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Радио и связь, 1987. - 464 с.: ил.