Курсовая работа на тему: Теме: Исследование поверхности GaAs с помощью атомно-силовой микроскопии

Введение

В настоящее время одной из научно-технических проблем в области нанотехнологии является разработка методов формирования и контроля атомно-гладкой поверхности различных полупроводниковых материалов.

Целью настоящей работы было исследование поверхности арсенида галлия.

В качестве экспериментальных образцов были использованы подложки GaAs, имеющие поверхность после стандартной жидкостной полировки.

Качество обработки АСМ изображения во многом определяется методикой его коррекции. Несмотря на то, что методика обработки АСМ изображения во многом схожа с общим подходом к обработке изображений, однако есть и отличия, связанные со спецификой его получения.

Оглавление

- Введение

- Арсенид галлия GaAs

- Программа Nova

- Исследование образца в 2D

- Дерево методов Заключение

- Литература

Список литературы

1. Материал из Википедии-свободной энциклопедии.

. Дворянкин В. Ф., Дворянкина Г. Г., Черевацкий Н. Я. Изв. АНСССР. Сер.Неорган. матер., 1980, т. 16, № 12, с. 2103.

3. Карташев В. В. Диссертация "Алгоритмическое программное обеспечение комплексов для зондовой микроскопии" Москва 2010, с. 122.

. Справочное руководство по программному модулю обработки изображений. NТ-MDT , с. 74.