Курсовая работа на тему: Данной курсовой работе требуется рассчитать элементы П-образной эквивалентной схемы транзистора

Введение

Инженер по эксплуатации радиоэлектронных систем должен знать принципы их работы, применения и повседневного обслуживания. Успешное выполнение этих задач невозможно без знания элементной базы этих систем и, в первую очередь, наиболее сложной и ответственной части элементной базы - транзисторов и интегральных микросхем.

Широкое применение получили дрейфовые транзисторы, основной особенностью которых является неравномерное распределение примесей в базе. Такое распределение примесей в базовом слое транзистора приводит к образованию электрического поля, увеличивающего скорость движения носителей. При этом перенос носителей осуществляется не только за счет диффузии, но также и за счет дрейфа носителей в электрическом поле.

Дрейфовые транзисторы имеют более высокие предельные частоты, в них легче получить одновременно малые высокочастотные сопротивления базы, малые ёмкости коллекторного перехода и высокие пробивные напряжения коллектора. При изготовлении дрейфовых транзисторов для образования р-n переходов используется технология диффузии примесей. Поэтому дрейфовые транзисторы часто называют диффузионными (по методу образования р-n переходов).

Дрейфовые транзисторы были предложены в 1953 году, а особенно широко применяются с 1956 года. В настоящее время разработан ряд технологических методов их изготовления, и эти транзисторы выпускаются с хорошими частотными свойствами и значительными рассеваемыми мощностями.

Предельные частоты высокочастотных дрейфовых транзисторов примерно в 10 раз превосходят предельные частоты транзисторов с однородным распределением примесей в базовой области. Кроме того, рассеиваемая мощность высокочастотных дрейфовых транзисторов при больших предельных частотах может во много раз превосходить мощность бездрейфовых транзисторов.

Физические процессы в дрейфовом транзисторе значительно отличаются от процессов в обычном (бездрейфовом) плоскостном транзисторе.

Оглавление

- Введение

- Анализ технического задания

- Расчетная часть

- Расчет дрейфового поля транзистора

- Расчет

- Расчет сопротивлений транзистора

- Расчет зарядных емкостей транзистора

- Расчет максимальной частоты

- Расчет Y-параметров для схемы с ОЭ

- Эквивалентные П-образные схемы

- Эквивалентная П-образная схема на НЧ для включения с ОЭ

- Эквивалентная П-образная схема на ВЧ для включения с ОЭ

- Зависимость максимальной частоты от напряжения коллектор-эмиттер

- Конструкторско-технологическая часть

- Структура транзистора

- Описание технологии получения дрейфового транзистора Заключение

- Перечень ссылок