Магистерская диссертация на тему: Работа биполярных транзисторов в микрорежиме

Введение

Наиболее важное свойство транзистора - свойство усиливать электрические сигналы. У этого прибора, обычно имеющего три вывода выходное сопротивление отличается от входного.

Усиление в теле полупроводника происходит за счет того, что сравнительно большой ток пропускается через область, весьма чувствительную к малым внешним токам или напряжениям. В биполярном транзисторе регулируемый ток поступает в эмитерную область, проходит сквозь чувствительную область базы и снимается с коллектора. Малые изменения тока базы или напряжения между базой и эмиттером могут вызывать большие изменения тока между эмиттером и коллектором.

Существуют два типа биполярных транзисторов: npn и pnp. Буквы обозначают тип примеси в эмиттерной, базовой и коллекторной областях соответственно. В npn - транзисторе неосновные для базы носители, электроны, должны диффундировать сквозь базовую область р-типа, проникая в коллекторную область n-типа.

Поведение транзистора приближенно описывается с помощью моделей. Построение моделей преследует следующие основные цели: объяснить поведение прибора и дать возможность это поведение предсказать; обеспечить проектирование приборов и схем с заранее известными рабочими характеристиками. Любая модель будет адекватно описывать поведение прибора в некотором диапазоне значений его параметров.

Оглавление

- 1. Введение

- Эффекты низких эмиттерных напряжений

- Малосигнальные эквивалентные схемы и параметры

- 4. Заключение

- 5. Литература

Заключение

Очень большое значение (особенно для промышленного производства) имеет создание транзисторов с высоким усилением по току при малых напряжениях смещения, а, следовательно, с малыми токами рекомбинации в области объемного заряда. Производство таких изделий, как усилители для слуховых аппаратов и стимуляторы сердечной деятельности для кардиологических больных, напрямую зависит от возможности создания интегральных транзисторов с высокими рабочими характеристиками при минимальных токах. При изготовлении ИС подобного назначения основные усилия обычно направляются на то, чтобы получить минимально возможные времена жизни носителей в области объемного заряда эмиттерных переходов.

В данном курсовом проекте мы рассмотрели принцип действия npn-транзистора. Получили графики зависимости и RВ от Iс.

Список литературы

1. И.П. Степаненко "Основы Микроэлектроники" М. Сов. радио 1980г.

2. И.М. Викулин "Физика полупроводниковых приборов" М. Радио и Связь 1990г.

3. В.В. Пасынков, Л.К. Чиркин, А.Д. Шинков "Полупроводниковых приборы" М. Высш. Школа 1981г.

4. Р. Маллер, Т. Кеймис "Элементы интегральных схем" М. Мир 1989г.

5. У. Тилл, Дж. Лаксон "Интегральные схемы" М. Мир 1985г.