Курсовая работа на тему: Общие принципы построения топологии биполярных ИМС. Выбор физической структуры разрабатываемой ИМС

Введение

Основной тенденцией в современных полупроводниковых ИМС является увеличение степени интеграции. Это, как правило, проявляется в усложнении процесса проектирования топологии ИМС и в итоге появляющегося большего числа ошибок на стадии проектирования. Поэтому можно сказать, что разработка топологии ИМС является наиболее важной и ответственной операцией при проектировании любой ИМС.

В практике проектирования топологии существует много подходов. К одному из них можно отнести следующие этапы проектирования:

получение исходных данных;

расчет геометрических размеров активных и пассивных элементов;

разработка эскиза топологии;

разработка предварительных вариантов топологии;

выбор окончательного варианта топологии и его оптимизация.

Целью данного курсового проекта является расчет геометрических размеров элементов ИМС широкополосного усилителя, проектирование топологии данной схемы. Исходными данными при этом являются: схема электрическая принципиальная и электрические параметры.

Научной новизны курсовой проект не имеет. Практическая значимость заключается в том, что разработана топология полупроводниковой ИМС с заданными, в задании на проектирование, параметрами.

Разработанная топология полупроводниковой ИМС - это законченный элемент ИМС, который можно использовать при проектировании аналоговых микросхем.

Оглавление

- Введение

- Общие принципы построения топологии биполярных ИМС

- Выбор физической структуры разрабатываемой ИМС

- Проектирование и расчет геометрических размеров элементов ИМС

- Проектирование и расчет биполярных интегральных транзисторов

- Расчет геометрических размеров резисторов

- Разработка библиотеки элементов широкополосного усилителя

- Расчет геометрических размеров биполярного n-р-n транзистора

- Расчет геометрических размеров диффузионного резистора

- Основные правила проектирования топологии ИМС

- Проектирование топологии ИМС Заключение

- Список использованных источников

- Приложение А. Эскиз топологии широкополосного усилителя

Заключение

На основе исходных данных приведенных в задании была разработана библиотека элементов и рассчитаны геометрические размеры элементов. На основе рассчитанных элементов был разработан эскиз топологии ИМС широкополосного усилителя.

Список литературы

1.Матсон Э.А., Крыжановский Д.В. Справочное пособие по конструированию микросхем Мн.: Высш. шк. 1982

2.Конструирование и технология микросхем. Курсовое проектирование: Учеб. пособие для вузов. Коледов Л.А., Волков В.А., Докучаев Н.Н. и др.; Под ред. Л.А. Коледлва.-М.: Высш. шк., 1984. 231с., ил.

3.Березин А.С., Мочалкина О.В. Технология и конструирование интегральных схем М. Радио и связь 1983 г

4.Курносов. А. И., Юдин В. В. Технология производства полупроводниковых и интегральных микросхем - М.: Высшая школа, 1986 г. - 368 с.

Приложение А