Курсовая работа на тему: Импульсные, высокочастотные ВЧ и сверхвысокочастотные СВЧ диоды

Введение

Диодами называют двухэлектродные элементы электрической цепи, обладающие односторонней проводимостью тока. В полупроводниковых диодах односторонняя проводимость обуславливается применением полупроводниковой структуры, сочетающей в себе два слоя, один из которых обладает дырочной (р), а другой - электронной (n) электропроводностью.

Полупроводниковый диод представляет собой прибор с двумя выводами и одним электронно-дырочным переходом.

Оглавление

- Введение

- Назначение и область применения

- Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов

- Общий принцип действия

- Конструкция полупроводниковых диодов

- Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов

- Выпрямительные диоды

- Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды

- Импульсные, высокочастотные ВЧ и сверхвысокочастотные СВЧ диоды

- Диод Есаки туннельный диод и его модификации

- Эффекты полупроводника

- Переход Шоттки

- Изготовление

- Достоинства и недостатки

- Перспективы развития Заключение

- Список литературы

Заключение

Полученные данные позволяют расчетным путем конструировать полупроводниковые приборы по заранее заданным характеристикам. Возможно создание новых типов приборов или изменение конструкции - существующих. Например, один из дополнительных переходов можно безболезненно удалить из конструкции "туннельного" диода (любой). То же справедливо и для стабилитронов, поскольку два перехода не бывают идентичными, а близость их свойств может породить спонтанный переход стабилитрона в режим "туннелирования" на обратной ветви.

Раскрытие механизма образования паразитного диода и режима его работы позволяет решить проблему оптимизации переходов, заключающуюся в выборе технологических режимов изготовления приборов.

Рассмотренные примеры показывают, сколь ущербна сегодняшняя физика полупроводников и сколь необходима ее коренная переработка.

Список литературы

1. Тугов Н.М., Глебов Б.А. Полупроводниковые приборы - М.:Энергоатомиздат,1990г.- 576с.

2. Козлов В.А., Рожков А.В., Кардо-Сысоев А.Ф. Журнал "Физика и техника полупроводников", том 37, вып. 12 С-Пб: ФТИ, 2003г. - 140с.

3. Хлебников М.М. "Электронные приборы". Учебник для электротехнических институтов связи - М.: "Связь", 1986г. - 598с.

4. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника - М.: Высшая школа,1991г.- 617с.