Курсовая работа на тему: Проблема описания электронных свойств вертикально связанных квантовых точек

Введение

В физике и технике все еще существуют нерешенные вопросы, связанные с исследованием электронных свойств вертикально связанных квантовых точек, несмотря на внедрение полупроводниковых материальных квантовых точек. Поэтому в данной работе мы предлагаем рассмотреть многоэлектронную задачу для вертикально связанных квантовых точек, которые находятся на небольшом расстоянии друг от друга. В настоящее время перспективное направление в разработке устройств с квантовой логикой представляют собой квантовые точки (КТ) (1).

Оглавление

- Введение.

- Использование и применение квантовых точек.

- Обзор теоретических исследований по вертикально связанным квантовым точкам в полупроводниках.

- Кулоновские корреляции и электронно-дырочная жидкость в двойных квантовых ямах.

- Модель.

- Корреляционная энергия.

- Теория функционала плотности. Уравнение Кона-Шэма.

- Метод расчета.

- Результаты и их обсуждение.

- Стационарное уравнение Шрёдингера.

- Общий случай.

- Случай трёхмерного пространства.

- Заключение.

- Список использованных источников.

Заключение

Анализируя содержание данной курсовой работы, можно сделать следующие выводы: 1) Согласно исследованию А.А. Васильченко, Е.Н. Тумаева и Д.А. Ермохина в статье "Расчеты основного состояния квазидвумерной электронно-дырочной плазмы", отмечается возможность образования на поверхности полупроводника многослойной системы, где электроны и дырки образуют чередующиеся слои. Обнаружено также, что на поверхности полупроводника может образоваться 2-молекулярный электрон-дырочный поглощатель при начальном числе носителей Nt0. Кроме того, метод функционала плотности является удобным инструментом для определения физических характеристик как систем с низким, так и высоким электронным зарядом. Данные, полученные в статье В. С. Бабиченко и И. Я. Полищука под названием "Кулоновские корреляции и электронно-дырочная жидкость в двойных квантовых ямах", приводят к выводу о возникновении связанных состояний электронов и дырок, так называемых экситонов, при низкой плотности системы. В условиях низкой температуры система может быть рассмотрена как вырожденный бозе-газ. Однако, когда плотность электронно-дырочной плазмы n увеличивается, среднее расстояние между носителями заряда уменьшается. Это ведет к повышенной вероятности возникновения рекомбинации, то есть процесса, при котором электроны и дырки соединяются и исчезают. В результате рекомбинации, скорость генерации носителей заряда может превышать скорость их рекомбинации, и тем самым происходит аккумуляция нерекомбинированных носителей заряда. Это приводит к увеличению концентрации нерекомбинированных электронов и дырок, что в свою очередь повышает электропроводность полупроводника.

Список литературы

- Квантовый кулоновский уравнение шредингер.

- Атомная структура полупроводниковых систем / отв. ред. А.Л. Асеев.- Новосибирск: Издательство СО РАН, 2006.- 292 с.

- Васильченко, А.А. Расчеты основного состояния квазидвумерной электронно-дырочной плазмы / А.А. Васильченко, Е.Н. Тумаев, Д.А. Ермохин.

- Статья В. С. Бабиченко, И. Я. Полищук "Кулоновские корреляции и электронно-дырочная жидкость в двойных квантовых ямах".

- Сlеs, i Sресtrоsсорy оf Singlе СdSе Nаnосrystаllitеs. аррliсаtiоns. Рurе ., 2000, v.72, р.

- Тurtоn, R. Тhе quаntum dоt А jоurnеy intо thе futurе оf miсrоеlесtrоniсs. - Nеw Yоrк: Frееmаn, 2000- 211 р.

- Jеоng, Н. Тhе Коndо еffесt in аn аrtifiсiаl q quаntum dоt mоlесulе / Н. Jеоng, А.М. Сhаng // Sсiеnсе- 2001- V.293- Р.

- Fаrmеr, S.С. Рhоtоluminеsсеnt роlymеr/quаntum dоt соmроsitе nаnораrtiсlеs / , // Сhеm. Маtеr. - 2001.- V.13 - Р.

- Lоw рrеssurе сhеmiсаl vароr dероsitiоn grоwth оf siliсоn quаntum dоts оn insulаtоr fоr nаnоеlесtrоniсs dеviсеs. Аррl. Surf. Sсi. 2000,