Дипломная работа на тему: Исследование нелинейно-оптических процессов в неоднородных средах основе пористых полупроводников

Введение

Возрастающие потребности в передаче данных требуют создания новых приборов и устройств, позволяющих в широком спектральном диапазоне осуществлять быстрое переключение и изменять частоту сигнала. Дальнейшее развитие таких систем будет в основном определяться возможностью генерировать, переключать и детектировать оптический сигнал, используя нелинейно-оптические процессы. В то же время современные телекоммуникационные технологии требуют миниатюризации устройств для управления распространением изучения. Однако большинство имеющихся на сегодня нелинейно-оптических кристаллов обладают либо сравнительно малой нелинейной восприимчивостью, но при этом в них возможна большая длина нелинейно-оптического взаимодействия, например за счёт фазового согласования процесса, либо, наоборот, при большой нелинейной восприимчивости длина взаимодействия очень мала и зачастую ограничена несколькими длинами волн. В связи с этим встает необходимость в развитии новых подходов, которые приведут к формированию

Оглавление

- Введение.

- Структурные модификации кремния.

- Кремний как материал современной электроники.

- Монокристаллический кремний.

- Пористый кремний.

- Формирование слоёв пористого кремния.

- Свойства и применение пористого кремния.

- Пористый фосфид галлия.

- Фотонно-кристаллические структуры на основе пористых полупроводников.

- Упорядоченные оптически неоднородные среды на основе пористых полупроводников.

- Одномерные фотонно-кристаллические структуры на основе пористого кремния.

- Спектры отражения.

- Дисперсионные свойства.

- Одномерные фотонно-кристаллические структуры на основе окисленного пористого кремния.

- Модификация нелинейной восприимчивости в пористых проводниках.

- Нелинейно-оптические процессы в оптически неоднородных средах на основе пористых полупроводников.

- Генерация второй гармоники в структурах на основе микропористого кремния.

- Генерация третьей гармоники в структурах на основе мезопористого кремния.

- Заключение.

- Список использованных источников.

Заключение

) Проведено исследование влияния структурных характеристик пористых полупроводников и диэлектриков на их оптические линейные и нелинейные свойства, обуславливающие весь спектр применения пористых полупроводников в оптоэлектронике и микроэлектронике.

) В дипломной работе был проанализирован способ формирования пористых полупроводников методом электрохимического травления на примере пористого кремния. В результате чего были выявлены основные факторы, воздействующие на структуру пористого кремния при его формировании.

) Анализ способа получения пористых полупроводников показал, что на их основе можно успешно формировать фотонно-кристалические системы. Особенностью таких систем является возможность заполнения имеющихся у них пор различными средами, что приводит к изменению эффективных фотонных свойств пористых полупроводников.

Список литературы

- Рhоtоniс bаndgар mаtеriаls аnd birеfringеnt lаyеrs bаsеd оn аnisоtrорiсаlly nаnоstruсturеd siliсоn/ L. А. Gоlоvаn, Е. Yu. Кrutкоvа, J. W. Наus, G.I. Реtrоv // J. Орt. Sос. Аm. В. - 2002. - Vоl. 19, Nо.9. - Р.

- Еffесt оf рhоtоniс сrystаl struсturе оn thе nоnlinеаr орtiсаl аnisоtrорy оf birеfringеnt роrоus siliсоn/ L. А. Gоlоvаn, Е. Yu. Кrutкоvа, G.I. Реtrоv еt аl // Орt. Lеttеrs. - 2006. - Vоl.31, Nо.21. - Р.

- Поглощение и фотолюминесценция свободного пористого кремния/ Е.В. Астрова, А.А. Лебедев, А.Д. Ременюк и др. // ФТП. - 1995. - Т.29. - С.

- Балагуров Л.А. Пористый кремний. Получение, свойства, возможные применения // Материаловедение. - 1998. - Вып.1. - С.50-56. - Вып.3. - С.

- Пространственная локализация, состав и некоторые свойства люминесцентно-активного слоя в пористом кремнии/ В.Г. Бару, Т.П. Колмакова, А.Б. Ормонт и др. // Письма в ЖТФ. - 1994. - Т. 20, вып. 20. - С.