Курсовая работа: Фізико–технологічні основи фотолітографії

Фотолітографія є ключовим процесом у виробництві мікрочіпів та інших напівпровідникових пристроїв, забезпечуючи точне формування мікроструктур на поверхні матеріалів. Основою цього процесу є взаємодія світла з фоторезистами — спеціальними полімерними матеріалами, які змінюють свої властивості під впливом ультрафіолетового світла. Коли фоторезист покриває підкладку, він піддається експозиції, що призводить до виникнення химічних реакцій, які потім дозволяють сформувати необхідний рисунок.

Основними етапами фотолітографії є нанесення фоторезиста, експозиція та проявлення. На першому етапі фоторезист рівномірно розподіляється по поверхні підкладки за допомогою спін-наносящих технік, що забезпечує однорідний шар. Важливим є вибір дії світла, яке треба використовувати для експозиції, адже його довжина хвилі безпосередньо впливає на роздільну здатність процесу. Сучасні методи включають використання глибокого ультрафіолетового (DUV) або навіть екстремального ультрафіолетового (EUV) випромінювання, що дозволяє досягати більш дрібних структур.

Після експозиції підлягає процесу проявлення, під час якого неекспоновані ділянки фоторезиста видаляються, залишаючи рельєфний малюнок. Цей малюнок слугує шаблоном для подальших технологічних етапів, таких як травлення, осадження тонких плівок та інших процесів, необхідних для формування електронних компонентів.

Критичними факторами, що впливають на якість фотолітографії, є контроль за параметрами процесу: температура, вологість, швидкість обертання підкладки під час нанесення фоторезиста та точність експозиції. Інновації в області матеріалів, зокрема розробка нових фоторезистів з підвищеною чутливістю та стійкістю до травлення, визначають подальший прогрес у мікроелектроніці. Таким чином, фізико-технологічні аспекти фотолітографії продовжують відігравати важливу роль у розвитку сучасних технологій.