Курсовая работа на тему: Расчет сопротивлений ЭС и граничных частот

Введение

Используемые физические свойства полупроводника известны и используются с конца 19 века. При изобретении радио А.С. Поповым был применен порошковый когерер, в котором использовались нелинейные свойства зернистых структур. В 1923-1924 гг. Лосев О.В. обнаружил наличие отрицательного дифференциального сопротивления и явление люминесценции в точечных контактных сопротивлениях карбида кремния. В 1940 году был изготовлен первый точечный диод. В 1948 году американский физик Дж. Бардии, а также И.Браштейн разработали и изготовили точечно-контактный транзистор, в 1952 г. впервые были созданы промышленные образцы плоскостных транзисторов. В 1956 г. началось производство транзисторов с базой, полученной методом диффузии. В начале 60-х годов была применена планарная технология изготовления транзисторов. В настоящее время рабочие частоты транзисторов достигают 50 ГГц. По уровню рассеиваемой мощности транзисторы делятся на маломощные, средней и большой мощности.

Оглавление

- 1. Введение 2

- Цель задания

- Общая часть

- Техническое задание

- Параметры, выбранные самостоятельно

- Перечень используемых обозначений

- Выбор технологии изготовления транзистора

- Сплавно-диффузионные транзисторы

- Структура сплавно-диффузионного р-n-р

- Основная часть

- Расчёт толщины базы и концентраций примесей

- Расчет коэффициента передачи тока

- Расчет емкостей и размеров переходов

- Расчет сопротивлений ЭС и граничных частот

- Расчет обратных токов коллектора

- Расчет параметров предельного режима и определение толщины элементов кристаллической структуры

- Расчёт эксплутационных параметров

- Выбор корпуса транзистора

- Обсуждение результатов

- 8. Выводы 18

- 9. Список используемой литературы 20

Заключение

В ходе проделанной работы были приобретены практические навыки решения инженерных задач создания дискретных полупроводниковых приборов.

Нами были выбраны и рассчитаны основные параметры транзистора. Расхождения (в сторону ухудшения) составляют не более %

Нами также были выбраны технология изготовления транзистора, его корпус и материалы, применяемые в призводстве.

Список литературы

1. В.И. Торопчин, Расчет и проектирование маломощных биполярных транзисторов, Саратов, 1988г, 213с.

2. Н.Н Горюнов, Справочник по полупроводниковым приборам, Москва,"Энергия", 1977г,65 с.

3. Овечкин Ю.А. Полупроводниковые приборы, Москва, "Высшая школа",1979г,120 с.