Реферат на тему: История изобретения транзистора

Введение

Трудно найти такую отрасль науки и техники, которая так же стремительно развивалась и оказала такое-же огромное влияние на все стороны жизнедеятельности человека, каждого отдельного и общества в целом, как электроника. Как самостоятельное направление науки и техники электроника сформировалась благодаря электронной лампе. Сначала появились радиосвязь, радиовещание, радиолокация, телевидение, затем электронные системы управления, вычислительная техника и т.п. Но электронная лампа имеет неустранимые недостатки: большие габариты, высокое энергопотребление, большое время вхождения в рабочий режим, низкую надежность. В результате через 2-3 десятка лет существования ламповая электроника во многих применениях подошла к пределу своих возможностей. Электронной лампе требовалась более компактная, экономичная и надежная замена. И она нашлась в виде полупроводникового транзистора. Его создание справедливо считают одним из величайших достижений научно-технической мысли двадцатого столетия, коренным образом изменившим мир. Оно было отмечено Нобелевской премией по физике, присужденной в 1956 г. американцам Джону Бардину, Уолтеру Браттейну и Уильяму Шокли. Но у нобелевской тройки в разных странах были предшественники . И это понятно. Появление транзисторов - результат многолетней работы многих выдающихся ученых и специалистов, которые в течении предшествующих десятилетий развивали науку о полупроводниках. Советские ученые внесли в это общее дело огромный вклад. Очень много было сделано школой физики полупроводников академика А.Ф. Иоффе - пионера мировых исследований по физике полупроводников. Еще в 1931 году он опубликовал статью с пророческим названием: "Полупроводники - новые материалы электроники". Немалую заслугу в исследование полупроводников внесли Б.В. Курчатов и В.П. Жузе. В своей работе - "К вопросу об электропроводности закиси меди" в 1932 году они показали, что величина и тип электрической проводимости определяется концентрацией и природой примеси. Советский физик Я.Н. Френкель создал теорию возбуждения в полупроводниках парных носителей заряда: электронов и дырок. В 1931 г. англичанину Уилсону удалось создать т еоретическую модель полупроводника, сформулировав при этом основы "зонной теории полупроводников". В 1938 г. Мотт в Англии, Б.Давыдов в СССР, Вальтер Шоттки в Германии независимо друг от друга предложили теорию выпрямляющего действия контакта металл-полупроводник. В 1939 году Б.Давыдов опубликовал работу "Диффузионная теория выпрямления в полупроводниках". В 1941 г. В. Е. Лашкарев опубликовал статью "Исследование запирающих слоев методом термозонда" и в соавторстве с К. М. Косоноговой - статью "Влияние примесей на вентильный фотоэффект в закиси меди". Он описал физику "запорного слоя" на границе раздела "медь - закись меди", впоследствии названного "р-n" переходом. В 1946 г. В. Лошкарев открыл биполярную диффузию неравновесных носителей тока в полупроводниках. Им же был раскрыт механизм инжекции - важнейшего явления, на основе которого действуют полупроводниковые диоды и транзисторы. Большой вклад в исследование свойств полупроводников внесли И.В.Курчатов, Ю.М.Кушнир, Л.Д.Ландау, В.М.Тучкевича, Ж.И.Алферов и др. Таким образом, к концу сороковых годов двадцатого века основы теоретической базы для создания транзисторов были проработаны достаточно глубоко, чтобы приступать к практическим работам.

Оглавление

- Введение

- История изобретения транзистора

- Первый транзистор

- Создание биполярного транзистора

- Холодная война и ее влияние на электронику

- Первые советские транзисторы

- Полевые транзисторы

- Область применения транзистора