Внимание! Studlandia не продает дипломы, аттестаты и иные документы об образовании. Наши специалисты оказывают услуги консультирования и помощи в написании студенческих работ: в сборе информации, ее обработке, структурировании и оформления работы в соответствии с ГОСТом. Все услуги на сайте предоставляются исключительно в рамках законодательства РФ.
Нужна индивидуальная работа?
Подберем литературу
Поможем справиться с любым заданием
Подготовим презентацию и речь
Оформим готовую работу
Узнать стоимость своей работы
Дарим 200 руб.
на первый
заказ

Дипломная работа на тему: Исходные данные для проектирования. Схемотехнические параметры

Купить за 600 руб.
Страниц
27
Размер файла
840.54 КБ
Просмотров
15
Покупок
0
Поскольку ИС, подобно электронной лампе или транзистору, представляет собой конструктивно единое целое, выполняет определенную функцию и должна удовлетворять определенным требованиям при испытаниях,

Введение

Поскольку ИС, подобно электронной лампе или транзистору, представляет собой' конструктивно единое целое, выполняет определенную функцию и должна удовлетворять определенным требованиям при испытаниях, поставках и эксплуатации, она относится к разряду электронных приборов. Однако по сравнению с диодом, транзистором и т, п. ИС является качественно новым типом прибора.

Первая - главная особенность ИС как электронного прибора состоит в том, что она самостоятельно выполняет законченную, часто весьма сложную функцию, тогда как элементарные электронные приборы выполняют аналогичную функцию только в ансамбле с другими компонентами. Например, отдельный транзистор не может обеспечить усиление сигнала или запоминание информации. Для этого нужно из нескольких транзисторов, резисторов и других компонентов собрать (спаять) соответствующую схему, В микроэлектронике же указанные функции выполняются одним прибором - интегральной схемой: она может быть усилителем, запоминающим устройством и т. п.

Второй важной особенностью ИС является то, что повышение функциональной сложности этого прибора по сравнению с элементарными не сопровождается ухудшением какого-либо из основных показателей (надежность, стоимость и т. п.). Более того, все эти показатели улучшаются. Проиллюстрируем эту особенность на примере полупроводниковых ИС.

Поскольку габариты и масса простых и средних ИС близки к габаритам и массе дискретных транзисторов, можно считать, что в первом приближении выигрыш по этим показателям при переходе от дискретных схем к интегральным определяется степенью интеграции и может достигать сотен и тысяч раз.

Поскольку надежность работы полупроводникового прибора в аппаратуре определяется, прежде всего, количеством паяных и (в меньшей степени) (парных соединении, то ИС, у которых межсоединения элементов осуществляются путем металлизации (т. е. без папки и сварки), обладают заведомо повышенной надежностью по сравнению с дискретными схемами, выполняющими ту же функцию. По мере увеличения степени интеграции этот выигрыш возрастает,

Стоимость ИС при прочих равных условиях близка к стоимости одного транзистора. Значит, в зависимости от степени интеграции (или, точнее, от плотности упаковки), стоимость одного элемента ИС по сравнению со стоимостью аналогичного дискретного компонента может быть в сотни раз меньше.

Третья особенность ИС состоит в предпочтительности активных элементов перед пассивными - принцип, диаметрально противоположный тому, который свойствен дискретной транзисторной технике. В последней активные компоненты, особенно транзисторы, наиболее дорогие, и потому оптимизация схемы при прочих равных условиях состоит в уменьшении количества активных компонентов. В ИС дело обстоит иначе: у них задана стоимость не элемента, а кристалла; поэтому целесообразно размещать на кристалле как можно больше элементов с минимальной площадью. Минимальную площадь имеют активные элементы - транзисторы и диоды, а максимальную - пассивные. Следовательно, оптимальная ИС - это ИС, у которой сведены к минимуму количество и номиналы резисторов и, особенно, конденсаторов.

Четвертая особенность ИС связана с тем, что смежные элементы расположены друг от друга на расстоянии всего 50 - 100 мкм. На таких малых расстояниях различие электрофизических свойств материала маловероятно, а следовательно, маловероятен и значительный разброс параметров у смежных элементов. Иначе говоря, параметры смежных элементов взаимосвязаны - коррелированны.. Эта корреляция сохраняется к при изменении температуры: у смежных элементов температурные коэффициенты параметров практически одинаковы. Корреляция между параметрами смежных элементов используется при проектировании некоторых ИС с целью снизить влияние разброса параметров и изменений температуры.

Оглавление

- Введение . 4

- Исходные данные для проектирования

- Схемотехнические параметры

- Конструктивно - технологические данные для проектирования

- Обзор литературы по теме курсового проекта

- Классификация интегральных микросхем и их сравнение

- Краткая характеристика полупроводниковых интегральных микросхем16

- Расчёт полупроводниковых резисторов

- Общие сведения об изготовлении полупроводниковых резисторов

- Порядок расчёта полупроводниковых резисторов

- Расчёт полупроводниковых резисторов

- Проектирование топологии ИМС

- Выводы о проделанной работе

- Список используемой литературы.. 36

Список литературы

1. Николаев И.М., Филинюк Н.А. Интегральные микросхемы и основы их проектирования. - М.: Радио и связь. 1992 .

2. Конструирование и технология микросхем. Курсовое проектирование под ред. Коледова Л.А. - М: высшая школа. 1984

3. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники - М.: Советское радио, 1980

4. Черчение под ред. Куликова А.С. - М: высшая школа, 1989

5. Малышева И. А. Технология производства интегральных микросхем - М: Радио и связь, 1991 .

Как купить готовую работу?
Авторизоваться
или зарегистрироваться
в сервисе
Оплатить работу
удобным
способом
После оплаты
вы получите ссылку
на скачивание
Страниц
27
Размер файла
840.54 КБ
Просмотров
110
Покупок
0
Исходные данные для проектирования. Схемотехнические параметры
Купить за 600 руб.
Похожие работы
Сумма к оплате
500 руб.
Купить
Заказать
индивидуальную работу
Гарантия 21 день
Работа 100% по ваши требованиям
от 1 000 руб.
Заказать
Прочие работы по предмету
Сумма к оплате
500 руб.
Купить
Заказать
индивидуальную работу
Гарантия 21 день
Работа 100% по ваши требованиям
от 1 000 руб.
Заказать
103 972 студента обратились
к нам за прошлый год
2016 оценок
среднее 4.2 из 5
Дмитрий Быстро, качественно и в срок.
Анастасия Благодарю за помощь!
Рита Рекомендую автора, отличная работа!
Анастасия Всё отлично! Спасибо за помощь!
Анастасия Замечаний нет, спасибо!
Владислав Благодарю за помощь!
Игорь Спасибо за помощь!
Валерия Замечаний нет, всё отлично!
Александр Профессионал своего дела, рекомендую! Всё отлично и в срок. По курсовым поставили высший бал, от выпускной работы...
Ярослава Все супер. Работу оценили на отлично.