на первый
заказ
Реферат на тему: Подложки интегральных микросхем и их значение
Купить за 250 руб.Введение
Современный этап развития радиоэлектроники характеризуется широким применением интегральных микросхем (ИМС) во всех радиотехнических системах и аппаратуре. Это связано со значительным усложнением требований и задач, решаемых радиоэлектронной аппаратурой, что привело к росту числа элементов в ней. За каждое десятилетие число элементов в аппаратуре увеличивается в 5-20 раз. Разрабатываемые сейчас сложные комплексы аппаратуры и системы содержат миллионы и десятки миллионов элементов. В этих условиях исключительно важное значение приобретают проблемы повышения надежности аппаратуры и ее элементов, микроминиатюризации электро-радиокомпонентов и комплексной миниатюризации аппаратуры. Все эти проблемы успешно решает микроэлектроника.Интегральная и функциональная микроэлектроника являются фундаментальной базой развития всех современных систем радиоэлектронной аппаратуры. Они позволяют создавать новый вид аппаратуры - интегральные радиоэлектронные устройства.
Микроэлектроника - одно из магистральных направлений в радиоэлектронике, и уровень ее развития в значительной степени определяет уровень научно-технического прогресса страны.
Применяют два основных метода изготовления ИМС - полупроводниковый и пленочный.
Первый метод заключается в локальной обработке микроучастков полупроводникового кристалла и придании им свойств, присущих функциям отдельных элементов и их соединений (полупроводниковые интегральные микросхемы).
Второй метод основан на использовании послойного нанесения тонких пленок различных материалов на общее основание (подложку) при одновременном формировании на них схемных элементов и их соединений (пленочные интегральные микросхемы).
В обоих случаях важное значение имеет качество обработки поверхности полупроводниковых пластин и подложек.
* Подложка - заготовка, предназначенная для нанесения на нее элементов гибридных и пленочных ИМС, межэлементных и (или) межкомпонентных соединений, а также контактных площадок.
Оглавление
- 1. Введение 2- Подложки интегральных микросхем и их назначение
- Назначение подложек
- Кремний - основной материал полупроводникового производства
- Виды загрязнений поверхности подложек и пластин
- Возникновение загрязнений
- Источники загрязнений
- Виды загрязнений
- Методы удаления загрязнений
- Классификация методов очистки пластин и подложек
- Способы жидкостной обработки пластин и подложек
- Обезжиривание
- Травление
- Промывание пластин и подложек
- Интенсификация процессов очистки
- Способы сухой очистки пластин и подложек
- Термообработка
- Газовое травление
- Ионное травление
- Плазмохимическое травление
- Типовые процессы очистки пластин и подложек
- 5. Заключение 20
- 6. Список литературы 20
Заключение
В заключении своего реферата приведу пример типового процесса обработки пластин кремния перед термическим окислением, который включает следующие операции:1) обезжиривание в горячем (75-80°С) перекисно-аммиачном растворе;
2) промывание в проточной деионизованной воде (удаление продуктов реакции предыдущей обработки);
3) обработка в горячей (90-100°С) концентрированной азотной кислоте (удаление ионов металлов);
4) промывание в проточной деионизованной воде (удаление остатков кислот);
5) гидродинамическая обработка пластин бельичими кистями в струе деионизованной воды;
6) сушка пластин с помощью центрифуги в струе очищенного сухого воздуха;
7) травление в растворе фтористоводородной кислоты (снятие поверхностного слоя и удаление загрязнений).
Список литературы
1. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. Учебное пособие для ВУЗов. М., "Высшая школа", 1986.2. Зи Ф.М. Технология СБИС. М., "Мир", 1986.
или зарегистрироваться
в сервисе
удобным
способом
вы получите ссылку
на скачивание
к нам за прошлый год