Реферат на тему: Сведения и понятия о мдп-транзисторах. Свойства МДП-структуры металлдиэлектрик полупроводник

Введение

Среди многочисленных разновидностей полевых транзисторов, возможно, выделить два основных класса: полевые транзисторы с затвором в виде рn перехода и полевые транзисторы с затвором, изолированным от рабочего полупроводникового объема диэлектриком. Приборы этого класса часто так же называют МДП-транзисторами (от словосочетания металл-диэлектрик-полупроводник) и МОП транзисторами (от словосочетания металл-окисел - полупроводник), поскольку в качестве диэлектрика чаще всего используется окись кремния.

Основной особенностью полевых транзисторов, по сравнению с биполярными, является их высокое входное сопротивление, которое может достигать 109 - 1010 Ом. Таким образом, эти приборы можно рассматривать как управляемые потенциалом, что позволяет на их основе создать схемы с чрезвычайно низким потреблением энергии в статическом режиме. Последнее особенно существенно для электронных статических микросхем памяти с большим количеством запоминающих ячеек.

Так же как и биполярные полевые транзисторы могут работать в ключевом режиме, однако падение напряжения на них во включенном состоянии весьма значительно, поэтому эффективность их работы в мощных схемах меньше, чем у биполярных приборов.

Полевые транзисторы могут иметь как р, так и n управление которыми осуществляется при разной полярности на затворах. Это свойство комплементарности расширяет возможности при конструировании схем и широко используется при создании запоминающих ячеек и цифровых схем на основе МДП транзисторов (CMOS схемы).

Полевые транзисторы относятся к приборам униполярного типа, это означает, что принцип их действия основан на дрейфе основных носителей заряда. Последнее обстоятельство значительно упрощает их анализ по сравнению с биполярными приборами, поскольку, в первом приближении, возможно, пренебречь диффузионными токами, неосновными носителями заряда и их рекомбинацией [9].

Оглавление

- Введение 2

- Сведения и понятия о мдп-транзисторах

- Свойства МДП-структуры металл-диэлектрик- -полупроводник

- Типы и устройство полевых транзисторов

- Принцип работы МДП-транзистора

- Выбор знаков напряжений в МДП-транзисторе

- Характеристики МДП-транзистора в области плавного канала

- Характеристики МДП-транзистора в области отсечки

- Влияние типа канала на вольт-амперные характеристики МДП-транзисторов

- Эквивалентная схема и быстродействие МДП-транзистора

- Расчет параметров и характеристик мдп-транзистора на основе арсенида галлия

- Основные сведения об арсениде галлия

- Основные параметры МДП-транзистора

- Расчет параметров МДП-транзистора

- Выводы 36

- Список литературы37

Заключение

В ходе данной курсовой работе:

были рассмотрены свойства МДП-структури, а также типы и устройство полевых транзисторов;

рассмотрены характеристики МДП-транзистора;

определено влияние типа канала на вольт-амперные характеристики прибора;

рассмотрены основны свойства и параметры полупроводника арсенида галлия;

рассчитаны параметры и характеристики МДП-транзистора.

В результате расчетов параметров и характеристик полупроводниковых приборов были получены результаты, не противоречащие справочным данным.

Так же были получены значения основных параметров: пороговое напряжение , напряжение смыкания , сопротивление стока и истока rи=rс=42,07 Ом. В результате построений характеристик МДП-транзистора были получены типичные вольтамперные характеристики транзистора МДП-типа с индуцированным каналом n-типа.

Список литературы

1. Нiконова З.А., Небеснюк О.Ю. Твердотiла електронiка. Конспект лекцiй для студентiв напрямку "Електронiка" ЗДIА/ Запорiжжя: Видавництво ЗДIА, 2002. - 99с.

2. Твердотiла електронiка. Навчальний посiбник до курсового проекту для студентiв ЗДIА спецiальностi "Фiзична та бiомедична електронiка" денної та заочної форм навчання /Укл: З.А. Нiконова, О.Ю. Небеснюк,, М.О. Лiтвiненко, Г.А. Слюсаревська. Запорiжжя, 2005. - 40с.

3. Батушев В. А. Электронные приборы. - М. , "Высшая школа" 1980..

4. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника - М.: Высшая школа, 1991г. - 617с.

5. Гуртов В. А. Твердотельная электроника: Учеб. пособие // В. А. Гуртов; ПетрГУ. - Петрозаводск, 2004. - 312 с.

6. Городецкий Л. Ф. Полупроводниковые приборы // Л. Ф. Городецкий,А. Ф. Кравченко, М.: Высшая школа, 1967, - 348 с.

7. Епифанов Г.И. Физические основы микроэлектроники М.: Сов. радио, 1971 г. - 376 с.

8. Ефимов И. Е., Козырь И. Я., Горбунов Ю. И. Микроэлектроника. М.: Высшая школа, 1987г. - 326 с.

9. Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. - 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Высшая школа, 1983г. - 384 с.

10. Жеребцов И.П. Основы электроники. - Энергоатомиздат, Ленинградское отд-ние, 1989г. - 352 с.

11. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: Пер. с англ. М.: Мир, 1984. - 368 с.

12. Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под ред. Н. Н. Горюнова - М.: Энергоатомиздат, 1985г. - 204 с.

13. Пасынков В. В., Чиркин Л. К. Полупроводниковые приборы. М.: Высшая школа, 1987г. - 479 с.

14. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. - М.: Сов. радио, 1980г. - 424 с.

15. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы. - М.: Энергоатомиздат, 1990г. - 376 с.

16. Федотов Я. А. Основы физики полупроводниковых приборов. М., "Советское радио", 1970г. - 392 с.

17. Электроника: Энциклопедический словарь.//Гл. ред. В. Г. Колесников. М.: Советская энциклопедия, 1991. - 688 с.