Курсовая работа на тему: Общие сведения. Коэффициент усиления по току. Зависимость эффективности эмиттера от концентрации

Введение

В данной курсовой работе будет проанализирован коэффициент усиления по току для мощных биполярных транзисторов и будет рассмотрены различные методы, которые используются для его повышения. Будет представлен общий обзор мощных БИП-транзисторов. В данном тексте будет представлена более детальная информация о структуре эмиттера и гетеропереходах эмиттер-база. Также будет рассмотрена схема Дарлингтона, которая является одной из схем составных транзисторов.

Мы начнем с описания конфигурации эмиттера. Эмиттер - один из трех основных выводов транзистора. Он служит для контроля тока, который будет протекать через транзистор. Эмиттер является самым большим по размеру и занимает центральное положение на корпусе транзистора.

Гетеропереходы эмиттер-база являются важной частью структуры транзистора. Они обеспечивают эффективную передачу сигнала от базы к эмиттеру. Гетеропереходы представляют собой переходы между различными типами материалов, например, между полупроводником и металлом. Они обеспечивают высокую эффективность работы транзистора.

Одной из возможных схем составных транзисторов является схема Дарлингтона. В этой схеме два транзистора объединены таким образом, что выходной ток одного транзистора становится входным током для другого транзистора. Это позволяет усилить и контролировать сигналы более эффективно.

Итак, мы рассмотрели более подробно конфигурацию эмиттера и гетеропереходы эмиттер-база, а также ознакомились с схемой Дарлингтона, которая является одной из схем составных транзисторов. Мы подводим итог данной курсовой работы, рассматривая применение мощных биполярных транзисторов. В целом, можно сделать вывод о том, что использование таких транзисторов имеет свои преимущества.

Одним из основных достоинств мощных биполярных транзисторов является их способность обеспечивать высокую мощность и эффективность работы. Это позволяет использовать их во многих областях, таких как энергетика, автомобилестроение и промышленность.

Более того, мощные биполярные транзисторы характеризуются высокой стабильностью и надежностью. Они способны выдерживать большие нагрузки и длительное время функционировать без сбоев. Это особенно важно, например, в радиосвязи или в системах автоматического управления.

Также стоит отметить гибкость в применении мощных биполярных транзисторов. Они могут использоваться в разных режимах работы, что обеспечивает широкие возможности при проектировании электронных устройств. Более того, различные производители предлагают широкий ассортимент моделей с разными параметрами, что позволяет выбрать наиболее подходящий вариант для конкретной задачи.

Несмотря на все преимущества мощных биполярных транзисторов, они имеют и некоторые недостатки. Одним из них является их относительно высокая стоимость. Также они могут выделять большое количество тепла, что требует применения дополнительных систем охлаждения.

В заключение, можно сказать, что мощные биполярные транзисторы являются важным элементом в электронике, обладающим рядом преимуществ. Однако, при их использовании необходимо учитывать их недостатки и правильно подбирать модели для конкретных задач.

Оглавление

- Введение

- Общие сведения

- Коэффициент усиления по току

- Зависимость эффективности эмиттера от концентрации примеси в нем

- Падение коэффициента усиления по току при больших плотностях тока

- Зависимость коэффициента усиления по току от температуры

- Методы увеличения коэффициента усиления по току

- Конфигурация эмиттера

- Эмиттеры с низкой концентрацией примеси нкэ-тран- зистор

- Транзистор со слаболегированным эмиттером ТСЭ- транзистор

- Транзистор с пониженной концентрацией фосфора в эмиттере ПКФ-транзистор

- Транзистор с эмиттером, легированным мышьяком ЭЛМ-транзистор

- Транзистор с гетеропереходом в эмиттере

- Монолитный мощный транзистор Дарлингтона ЗАКЛЮЧЕНИЕ

- Список использованных источников

- Приложение а

Заключение

Все большую популярность приобретают биполярные мощные транзисторы, которые могут использоваться в различных устройствах и схемах. Применение таких транзисторов возможно как в качестве усилителей низкой и высокой частоты, так и в генераторах и мощных переключающих устройствах.

Одной из областей, где мощные транзисторы находят широкое применение, является звуковая частота. Они могут быть использованы в усилителях, чтобы усилить сигнал и обеспечить его высокое качество. Также такие транзисторы применяются в зажигании автомобилей, где они обеспечивают эффективное и надежное зажигание.

Еще одной областью, где используются биполярные мощные транзисторы, является горизонтальная развертка телевизоров. Благодаря своей мощности, они способны генерировать и поддерживать стабильное горизонтальное сканирование экрана.

Кроме того, мощные транзисторы широко используются в мощных источниках питания. Они обеспечивают стабильную подачу энергии и способны выдерживать большие нагрузки.

В целом, биполярные мощные транзисторы нашли свое применение в самых разнообразных устройствах и схемах, где их высокая мощность и надежность являются необходимыми. Мощные транзисторы выделяются своим высоким напряжением, током и способностью обрабатывать большую мощность. Важной характеристикой таких транзисторов является их способность справляться с высокими тепловыми нагрузками без изменения своей структуры. Во время работы, мощные транзисторы должны быть в состоянии эффективно охлаждаться, чтобы избежать перегрева и повреждения. Это обеспечивает долгий срок службы и стабильную работу таких устройств. Таким образом, мощность и теплоотвод являются ключевыми факторами при выборе и использовании мощных транзисторов. Структура мощных транзисторов существенно отличается от структуры базовых, малосигнальных транзисторов с типом n-p-n или p-n-p. В отличие от последних, мощные транзисторы предназначены для прохождения значительных коллекторных токов и способны выдерживать высокие напряжения на коллекторе.

Список литературы

транзистор эмиттер монолитный

[1] Блихер, А. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов / А.Блихер. - Л. : Энергоатомиздат, 1986.

[2] Колосницын, Б. С. Мощные и СВЧ полупроводниковые приборы / Б. С. Колосницын. - Минск : БГУИР, 2008.

[3] Ржевкин, К. С. Физические принципы действия полупроводниковых приборов / К. С. Ржевкин. - М. : МГУ, 1986.