Реферат на тему: Оборудование для термического окисления. Модель Дила-Гроува

Введение

Слой двуокиси кремния формируется обычно на кремниевой пластине за счет химического взаимодействия в приповерхностной области полупроводника атомов кремния и кислорода. Кислород содержится в окислительной среде, с которой контактирует поверхность кремниевой подложки, нагретой в печи до температуры Т 900 - 1200 С. Окислительной средой может быть сухой или влажный кислород. Схематично вид установки показан на рис. 1 (в современных установках пластины в подложкодержателе располагаются вертикально).

Рис. 1

Требования к оборудованию:

контролируемая с точностью до 1 градуса температура подложкодержателя,

обеспечение плавного повышения и понижения температуры в реакторе (двухстадийный нагрев),

отсутствие посторонних частиц в реакторе (подложкодержатель сначала вводится в трубу реактора, а затем опускается на дно),

отсутствие посторонних примесей, в частности, ионов натрия на внутренней поверхности реактора (с целью их удаления проводится предварительная продувка трубы реактора хлором),

Оглавление

- Оборудование для термического окисления.

- Модель Дила-Гроува.

- Зависимость толщины окисла от времени окисления.

- Особенности роста тонких и толстых плёнок двуокиси кремния.

- Свойства плёнок SiО.

- Список литературы.

Список литературы

- Маслов А.А., Технология и конструкции полупроводниковых приборов, М.: Энергия, 1970. - 296 с.: ил.

- Курносов А.И., Юдин В.В., Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. - 5-е изд., перераб. и доп. М.: Наука.

- Технология СБИС: в 2-х книгах, пер с англ., под ред. Зи С. - М.: Мир, 1986. - 404 с.: ил.

- Болтакс Б.И. Диффузия и точечные деффекты в полупроводниках. - Л.: Наука, 1972. - 384 с.: ил.

- Готра З.Ю Технология микроэлектронных устройств: Справочник. - М.: Радио и связь, 1991. - 528 с.: ил.