Реферат на тему: Общие сведения о полупроводниках

Введение

Полупроводники как особый класс веществ, были известны еще с конца XIX века, только развитие теории твердого тела позволила понять их особенность. Полупроводниками называют вещества, обладающие электронной проводимостью, занимающей промежуточное положение между металлами и изоляторами. От металлов они отличаются тем, что носители электрического тока в них создаются тепловым движением, светом, потоком электронов и т.п. источником энергии. Без теплового движения (вблизи абсолютного нуля) полупроводники являются изоляторами. С повышением температуры электропроводность полупроводников возрастает и при расплавлении носит металлический характер.

Задолго до этого были обнаружены:

1. эффект выпрямления тока на контакте металл-полупроводник

2. фотопроводимость.

Были построены первые приборы на их основе.

Оглавление

- Введение.

- Общие сведения о полупроводниках 1.1 Теория и свойства.

- Методы очистки и переплавки полупроводниковых материалов.

- Металлургия германия и кремния.

- Применение полупроводников 3.1 Тепловые сопротивления.

- Фотосопротивления.

- Термоэлементы.

- Холодильники и нагреватели.

- Заключение.

- Литература.

Заключение

Полупроводники - это сравнительно новые материалы, с помощью которых на протяжении последних десятилетий удаётся разрешать ряд чрезвычайно важных электротехнических задач.

Полупроводниковые приборы можно встретить в обычном радиоприемнике и в квантовом генераторе - лазере, в крошечной атомной батарее и в микропроцессорах.

Инженеры не могут обходиться без полупроводниковых выпрямителей, переключателей и усилителей. Замена ламповой аппаратуры полупроводниковой позволила в десятки раз уменьшить габариты и массу электронных устройств, снизить потребляемую ими мощность и резко увеличить надежность.

В настоящее время насчитывается свыше двадцати различных областей, в которых с помощью полупроводников разрешаются важнейшие вопросы эксплуатации машин и механизмов, контроля производственных процессов, получения электрической энергии, усиления высокочастотных колебаний и генерирования радиоволн, создания с помощью электрического тока тепла или холода, и для осуществления многих других процессов.

Список литературы

- Новые материалы в технике. -Издательство Высшая школа, М.- 1965,194с.

- А.с. 281651 СССР МПК Н 01 5/00. Полупроводниковый генератор/.

- Кий. ов. Заявл. 03.12.68., Опублик.

- Бюл.N.

- Кнаб О.Д. БИСПИН - новый тип полупроводниковых приборов//.

- Электронная промышленность. 1989. N.

- Шалимова К.В. "Физика полупроводников" Изд. "Энергия".

- Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных.

- Схем./Москва, Энергия.

- Муравский Б.С. Черный В.Н. Яманов И.Л. Потапов А.Н. Жужа М.А.

- Неравновесные электронные процессы в транзисторных структурах.

- С туннельно-прозрачным окислом //Микроэлектроника. 1989. т.

- Муравский Б.С. Кузнецов В.И. Фризен Г.И. Черный В.Н. Исследо.

- Вание кинетики поверхностно-барьерной неустойчивости тока.//.

- Физика и техника полупроводников. 1972. т.6. N.

- Стриха В.И. Теоретические основы контакта металл-полупрово.

- Дник.// Киев. "Наукова думка".

- А.с. 1438537 СССР, МКИ Н01L 29/42 Поверхностно-барьерный ге.

- Нератор/ кий, в, . Заявл.

- Бессарабов Б.Ф.,