Магистерская диссертация на тему: Основные виды структур ИМС. Гибридные и совмещенные интегральные микросхемы

Введение

Твердотельная интегральная микросхема - это законченный функциональный электронный узел, элементы которого конструктивно не разделены и изготавливаются в едином технологическом процессе, в объеме и на поверхности полупроводникового кристалла.

Процесс создания полупроводниковой микросхемы сводится к формированию в приповерхностном слое полупроводниковой пластины элементов (транзисторов, диодов, резисторов) и к последующему их объединению в функциональную схему пленочными проводниками по поверхности пластины (межсоединения).

Для характеристики типа применяемых в ИМС транзисторов, а также технологических методов их изготовления пользуются понятием структура ИМС. В общем случае структура ИМС определяет последовательность слоев в составе микросхемы по нормали к поверхности кристалла, различающихся материалов, толщиной и электрофизическими свойствами. Так, в практике производства ИМС используют структуры на биполярных транзисторах (в частности, диффузионно-планарные, эпитаксиально-планарные и др.) на МДП-приборах, структуры И²Л и т. д. Заданная структура ИМС позволяет установить состав и последовательность технологических методов обработки пластины и определить технологические режимы для каждого метода.

Оглавление

- Введение

- Основные виды структур ИМС

- Гибридные и совмещенные интегральные микросхемы

- Степень интеграции

- Факторы, ограничивающие степень интеграции

- Причины ограничивающие минимальные размеры интегральных микросхем

- Микросборка оптоэлектронные ИМС Литература

Список литературы

- Достанко А. П. Технология интегральных схем. - Мн.: Вышэйшая школа, 1982. - 207 с.

- Парфенов О. Д. Технология микросхем. - М.: Высшая школа, 1986. - 320 с.

- Аваев Н. А., Наумов Ю. Ф., Фролкин В. Т. Основы микроэлектроники. - М.: Радиосвязь.

- Гурский Л. И., Зеленин В. А., Жебин А. П., Вахрин Г. Л. Структура, топология и свойства тонкопленочных резисторов. - Мн.: Наука и техника, 1987. - 369 с.