Курсовая работа на тему: Цель работы - повторение и закрепление знаний об основных свойствах полупроводниковых материалов,

Введение

К полупроводникам относятся материалы, свойства которых частично схожи со свойствами проводников, частично со свойствами диэлектриков. К ним относится большое количество веществ с электронной электропроводностью.

Основной особенностью полупроводников является их способность изменять свои свойства под влиянием различных внешних воздействий (изменение температуры, приложение электрического или магнитного полей и т.д.). Свойства полупроводников сильно зависят от содержания примесей. С введением примеси изменяется не только значение проводимости, но и характер её температурной зависимости.

Электрический ток в полупроводниках связан с дрейфом носителей заряда. Появление носителей заряда в полупроводниках определяется химической частотой и температурой.

Среди полупроводниковых материалов электронные полупроводники, полупроводниковые химические соединения и твердые растворы. Электрические свойства полупроводников определяются зонной структурой и содержанием примесей.

При любой температуре, отличной от абсолютного нуля, в полупроводнике за счет теплового возбуждения происходит генерация свободных электронов и дырок. Однако с процессом генерации обязательно протекает обратный процесс - рекомбинации носителей заряда. Основной характеристикой рекомбинации является время жизни.

Основным материалов полупроводниковой электроники является кремний. Для изготовления полупроводниковых приборов и устройств микроэлектроники используют как монокристаллические, так и поликристаллические материалы

Оглавление

- Введение

- Суть гальваномагнитных явлений в полупроводниковых материалах

- Описание гальваномагнитных явлений

- Эффекты Холла, Эттингсгаузена и Нернста

- Полупроводниковые соединения типа аiiiвv

- Закономерности образования. Структура и химическая связь

- Получение соединений

- Физико-химические и электрические свойства

- Примеси и дефекты структуры

- Излучательная рекомбинация

- 3акоиомерности изменения свойств в зависимости от состава

- Изопериодные гетероструктуры

- Применение соединений АIIIВV

- Арсенид галлия GaAs

- Фосфид галлия

- Подвижность носителей заряда в полупроводниках

- Что такое подвижность

- Некоторые свойства подвижности носителей заряда

- Измерение подвижности носителей заряда

- Метод тока Холла

- Метод геометрического магнитосопротивления ЗАКЛЮЧЕНИЕ

- Перечень ссылок