Курсовая работа на тему: Методы увеличения коэффициента усиления по току биполярного транзистора

Введение

Рассматривается общее представление о мощных БИП-транзисторах. Более подробно описывается конфигурация эмиттера, гетеропереходы эмиттер-база. Также рассматривается схема Дарлингтона, одна из схем составных транзисторов.

В заключении данной курсовой работы приводится общий вывод о применении мощных биполярных транзисторов.

Оглавление

- Общие сведения

- Коэффициент усиления по току

- Зависимость эффективности эмиттера от концентрации примеси в нем

- Падение коэффициента усиления по току при больших плотностях тока

- Зависимость коэффициента усиления по току от температуры

- Методы увеличения коэффициента усиления по току

- Конфигурация эмиттера

- Эмиттеры с низкой концентрацией примеси нкэ-тран- зистор

- Транзистор со слаболегированным эмиттером ТСЭ- транзистор

- Транзистор с пониженной концентрацией фосфора в эмиттере ПКФ-транзистор

- Транзистор с эмиттером, легированным мышьяком ЭЛМ-транзистор

- Транзистор с гетеропереходом в эмиттере

- Монолитный мощный транзистор Дарлингтона ЗАКЛЮЧЕНИЕ

- Список использованных источников

- Приложение а

Список литературы

[1] Блихер, А. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов / А.Блихер. - Л. : Энергоатомиздат, 1986.

[2] Колосницын, Б. С. Мощные и СВЧ полупроводниковые приборы / Б. С. Колосницын. - Минск : БГУИР, 2008.

[3] Ржевкин, К. С. Физические принципы действия полупроводниковых приборов / К. С. Ржевкин. - М. : МГУ, 1986.