Реферат на тему: Квантовый выход светочувствительных структур полупроводник-металл-диэлектрик

Введение

Материал - один из видов вещества, идущего на изготовление изделий. Одно из требований к нему - стабильность, сохранение внутреннего строения в процессе длительной эксплуатации, что присуще только твердому агрегатному состоянию. При переработке материала в изделия (резание, диффузия, окисление, нанесение покрытий и т.д.), когда воздействуют, в основном, на поверхностные слои, материалы не должны изменять внутреннего строения. Однако стабильность относительна, изменчивость же - абсолютна. Последняя проявляется как зависимость от внешних воздействий, основные из которых: изменение температуры - тепловое движение атомов и частиц; движение электронов, ионов и целых групп атомов под действием полей; диффузия - все ее виды; структурные дефекты и неоднородность самого материала. Отсюда и условность терминов и классификаций. Даже общепринятое разделение материалов на проводники, полупроводники и диэлектрики весьма относительно. Так при очень низких температурах разница между полупроводниками и диэлектриками стирается, а при повышенных температурах полупроводники становятся хорошими проводниками. Кроме того, есть вещества, занимающие промежуточное положение между этими типами материалов, что предоставляет широкий выбор для инженерного творчества.

Оглавление

- Введение

- Способ определения к.п.д. светочувствительных систем полупроводник-металл

- Формула изобретения

- Реферат описания изобретения

- Современные светодиоды

- Как устроен и работает светодиод

- Получение голубых светодиодов

- Получение белого света с помощью светодиодов заключение

- Список использованной литературы

Список литературы

1) Костышин М.Т., Михайловская Е.В., Романенко П.Ф. Об эффекте фотографической чувствительности тонких полупроводниковых слоев, находящихся на металлических подложках.- ФТТ, 1966, 8, 4, 571-572.

2) Migration оf silver and gold in amorphous As2S3 / А. Buroff, Е. Nebauer, Р.Süptitz, I.Willert.- Phys. status solidi А, 1977, 40, 1, 195-198.

3) Костко В.С., Костко О.В., Маковецкий Г.И., Янушкевич К.И Светочувствительность тонкопленочной структуры SnI2-Sn-стекло и фазовый состав структуры SnI2-Сd-стекло// Весцi Акад. навук Беларусi, Сер. фiз.-мат. навук.- 2001.- №1.- С.103-106.

4) Goldschmidt D., Rudman Р.S. The kinetics оf photodissolution оf Аg in amorphous As2S3 films.- J. Non-cryst. solids, 1976, 22, 2, 229-243.

5) Способ нанесения рельефного изображения на диэлектрическую подложку: пат. 8800 Респ. Беларусь, G 03 С/ В.С.Костко, О.В.Костко; заявитель Брестск. гос. ун-т.- № а 20031065; заявл. 19.11.03; опубл. 30.07.05// Афiцыйны бюл./ Нац. цэнтр iнтэлектуал. уласнасцi.

6) Теренин А.Н. Фотоника молекул красителей и родственных органических соединений. Л.: Наука, 1967. 616.

7) Калверт Дж., Питтс Дж. Фотохимия. М.: Мир, 1968. 672.

8) Стефанович Г.Б. Фазовый переход металл-полупроводник в структурно разупорядоченной двуокиси ванадия. Дис. на соис. канд. физ.-мат. наук. Петрозаводск, 1986. 185 с. [10] Chudnovskii F.А., Stefanovich G.В. // J. Solid State Chem. 1992. V. 98. Р. 137145.

9) Мокеров В.Г. и др. // ФТТ. 1976. Т. 18. № 7. С. 1801-1805.

10) В.И. Смирнов. Физико-химические основы технологии электронных средств. Учебное пособие. Ульяновск. 2005.