Докторская диссертация на тему: Дифференциальное сопротивление коллекторного перехода

Введение

Поскольку на выпрямительных диодах, как правило, рассеивается значительная мощность они разогреваются, что приводит к ухудшению их выпрямительных свойств и, если температура рn перехода превысит определенное значение, диод может выйти из строя, что в свою очередь может сопровождаться выходом из строя всего силового блока.

Для характеристики воздействия температуры на рn переход вводят специальный параметр - тепловое сопротивление. Тепловое сопротивление полупроводниковых приборов характеризует как выделяющаяся в полупроводниковом приборе мощность влияет на его разогрев. Измеряется тепловое Rт сопротивление в [о/Вт] :

Тп - температура РN перехода, Тос - температура окружающей среды

Величина Rт - зависит от конструкции прибора, в частности способа крепления кристалла, конструкции корпуса. Чем более массивный кристаллодержатель и сам корпус, тем меньше тепловое сопротивление прибора. На рис. 2.29 в качестве примера приведены конструкции двух корпусов с указанием их теплового сопротивления.

Рис. 2.29. Примеры конструкций диодов с различным сопротивлением: 1,2-малой мощности, Rт = (100-200) °/Вт,

3-средней мощности, Rт = 1-10°/Вт.

Оглавление

- Силовые диоды

- Стабилитроны

- Полупроводниковые управляемые емкости варикапы

- Туннельные диоды

- Лекция 11

- Биполярные транзисторы

- Принцип работы

- Лекция 12

- Статические вольтамперные характеристики биполярного транзистора

- Лекция 13

- Количественный анализ процессов в биполярном транзисторе

- Лекция 14

- Влияние конструктивно технологических характеристик транзистора на параметры эквивалентной схемы

- Коэффициент передачи по току

- Дифференциальное сопротивление коллекторного перехода - rк

- Лекция 15

- Частотные характеристики биполярного транзистора

- 3.6.1. Зависимость коэффициента передачи тока от частоты в схеме с общей базой αω. 161

- 3.6.2. Зависимость коэффициента передачи тока от частоты в схеме с общим эмиттером βω. 163