Курсовая работа на тему: Рассчеты провести для номинальных значений режимов процесса диффузионного легирования и для двух

Введение

Развитие микроэлектроники и создание новых БИС и СБИС требует новых методов автоматизированного проектирования, основой которого является математическое моделирование всех этапов разработки микросхемы.

Необходимость внедрения гибких систем автоматизированного проектирования очевидна, поскольку проектирование микросхем сложный и длительный процесс. В настоящее время используется сквозное моделирование микросхем, которое включает в себя расчет и анализ характеристик и параметров на следующих уровнях:

-технологическом;

-физико-топологическом;

-электрическом;

-функционально-логическом.

В ходе данной работы нам необходимо осуществить сквозное проектирование схемы ТТЛ-инвертора на трех первых уровнях.

Расчеты предусматривается произвести с использование программы расчета параметров модели биполярного транзистора Biptran и программы схемотехнического моделирования PSpice.

Оглавление

- Введение 5

- Расчет режимов технологического процесса и распределение примесей после диффузии

- Распределение примесей в базе

- Расчет режимов базовой диффузии

- Распределение примесей в эмиттере

- Расчет режимов эмиттерной диффузии

- Расчет слоевых сопротивлений биполярного транзистора

- Расчет основных параметров инвертора

- Заключение 18

- Список используемой литературы 19

Заключение

В ходе данной работы было произведено сквозное проектирование ТТЛШ - инвертора. В результате были рассчитаны параметры биполярного транзистора. Профили распределения примесей в биполярной структуре представлены на графиках в Приложениях 1,2,3, а модели транзисторов в Приложении 6.

Кроме того мы рассчитали такие параметры ТТЛШ - инвертора, как напряжение логических уровней, пороговые напряжения, помехоустойчивость схемы, время задержки, среднюю потребляемую мощность. Результаты расчётов представлены в пункте 3 и приложениях 7,8,9,10. Полученные результаты удовлетворяют требованиям ТТЛШ - микросхем.

Расчёты представленные в этой работе являются приближёнными, так как для более точных расчётов необходимы более мощные средства автоматического проектирования.

В ходе работы мы пренебрегли процессами сегрегации примеси при окислении, а также зависимостью коэффициента диффузии от концентрации.

В результате работы мы получим математическую модель технологического процесса ТТЛШ -инвертора.

Список литературы

1 Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов.- Москва.: Высшая школа, 1974. - 400с.: ил.

2 Черняев В.Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА: Учебное пособие для вузов.- Москва.: Высшая школа, 1982. 224 с.: ил.

3 Матсон Э.А. Крыжановский Д.В. Справочное пособие по конструированию микросхем. -Мн.: Высшая школа, 1983. -271 с.: ил.

4 Коледов Л.А. Конструирование и технология микросхем. курсовое проектирование: Учебное пособие для вузов.- Москва.: Высшая школа, 1984. -231с.: ил.