Реферат на тему: Область применения -MID. Технологии производства -MID структур

Введение

В 80-х годах прошлого века 3D литые монтажные основания (3D molded interconnect devices, 3D-MID) были провозглашены прорывом в электронике, даже высказывались ожидания, что они заменят печатные платы. Но тогда прорыва не произошло, что во многом объяснялось несовершенством технологии и материалов. Однако в настоящее время новые процессы производства 3D-MID, ускоряющие, упрощающие и удешевляющие выход на рынок, "перезагрузили" перспективы 3D-MID.

D-MID представляет собой 3D основание из литого высокотемпературного термопласта, на котором выполнены 3D проводники и контактные площадки (Рис. 1, 2). 3D-MID обеспечивают очень высокую гибкость проектирования за счет возможности интеграции электронных, механических и оптических элементов, широких возможностей относительно формы устройства, миниатюризации. Среди других преимуществ данной технологии стоит отметить меньшее число входящих в состав элементов, повышенную надежность, меньшую материалоемкость.

Рис. 1 Схематичное изображение 3D литого монтажного основания

Рис. 2 Датчик давления на 3D литом монтажном основании размером 4х4х1,5 мм

Оглавление

- Ведение

- Область применения 3D-MID

- Технологии производства 3D-MID структур

- Процессы с применением однокомпонентного литья

- 3D-фотолитография

- Субтрактивное лазерное структурирование

- Аддитивное лазерное структурирование

- Процесс с применением двухкомпонентного литья

- Материалы

- Монтаж компонентов на 3D-MID

- Установка компонентов на устройства 3D-MID концепции современного сборочного оборудования

- Требования, предъявляемые процессом автоматической сборки

- Концепции построения сборочных автоматов для 3D-MID

- Линия, оснащенная 6-осевыми промышленными роботами

- Модульный автомат, оснащенный 3D-держаталем монтажных оснований

- Интеграция много осевого робота в существующий автомат 2D-установки компонентов

- Активный держатель монтажных оснований, устанавливаемый в стандартный автомат 2D-установки компонентов

- Сравнение рассмотренных подходов Заключение