Курсовая работа на тему: Основные свойства материала, методы получения монокристалла

Введение

В данной курсовой работе будет рассмотрен один из способов получения монокристалла заданной марки ГСДЦ-1-1-18.

Все обозначение марки можно разделить на 2 части: буквенная часть и часть, заданная цифрами. Буквенная часть дает информацию о полупроводниковом материале, о типе электропроводности и о легирующей примеси. Для данного материала это означает, что будем получать антимонид галлия (ГС - Галлий Сурьмянистый), электропроводностью дырочного типа (Д), легированного цинком (Ц).

Часть, заданная цифрами дает количественную характеристику материала. Так, первая цифра обозначает допуск по концентрации (. Оставшиеся цифры задают исходную концентрацию в материале (.

Оглавление

- Основные свойства материала, методы получения монокристалла

- Расшифровка марки материала

- Краткое описание свойств материала

- Методы получения материала

- Теоретическая часть

- Обоснование выбора метода получения материала

- Вывод распределения примеси

- Расчетная часть

- Выбор технологических режимов и размеров установки

- Расчет легирования кристалла

- Определение массы легирующей примеси Список использованных источников

Список литературы

- Александрова, О. А. Технология полупроводниковых материалов/ О. А. Александрова, В. С. Сорокин. - СПб: СПбГЭТУ "ЛЭТИ".

- Волков, П. К. Методика выбора модельных сред для расплавов полупроводников в земных и космических условиях/ П. К. Волков, Б. Г. Захаров. - Калуга: Научно-исследовательский центр "Космическое материаловедение" Института кристаллографии РАН.

- Иванова Р. В. Химия и технология галлия/ Р. В. Иванова. - М: Металлургия.

- Курносов, А. И. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем/ А. И. Курносов, В.В. Юдин. - М: Высшая школа.

- Нашельский, А. Я. Производство полупроводниковых материалов/ А. Я. Нашельский. - М: Металлургия.

- Случинская, И. А. Основы материаловедения и технологии полупроводников/ И. А. Случинская. - М.

- Химия и технология редких и рассеяных элементов. Часть 1/ под ред. К.А. Большакова. - М: Высшая школа.