Реферат на тему: Легирование выращенных кристаллов. Легирование объемных кристаллов из жидкой фазы

Введение

Для изготовления многих полупроводниковых приборов необходим легированный материал. Возможны следующие способы легирования: 1) легирование уже выращенных кристаллов; 2) легирование кристаллов в процессе выращивания из жидкой фазы; 3) легирование кристаллов в процессе выращивания из газовой фазы.

Легирование выращенных кристаллов осуществляется методом диффузии примеси из внешней газовой, жидкой или твердой фаз, методом радиационного легирования и методом ионной имплантации. Метод диффузии в технологии производства объемных легированных материалов не получил распространения из-за малых скоростей диффузии в кристаллах. Тем не менее сами процессы диффузии играют большую роль в технологии получения и обработки полупроводниковых материалов и создании приборов на их основе.

Оглавление

- Легирование выращенных кристаллов.

- Легирование объемных кристаллов из жидкой фазы.

- Методы выравнивания состава вдоль кристалла.

- Пассивные методы выравнивания состава.

- Активные методы выравнивания состава кристаллов.

- Механическая подпитка расплава.

- Изменение условий выращивания.

- Растворимость примесей.

- Взаимодействие примесей, связанное с электронно-дырочным равновесием.

- Взаимодействие между примесными ионами, приводящее к образованию нейтральных пар, устойчивых при низких температурах.

- Взаимодействие между примесными ионами, приводящее к образованию комплексов, устойчивых в широком интервале температур.

- Список литературы.

Список литературы

- ) Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и металловедение. - М.

- ) Медведев С.А. Введение в технологию полупроводниковых материалов. - М.: Высшая школа.

- ) Омельяновский Э.М., Фистуль В.И. Примеси переходных металлов в полупроводниках. - М.

- ) Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов. - М.: Высшая школа.

- ) Остробородова В.В. Основы технологии и материаловедения полупроводников. - М.: Изд. Моск. ун-та.