Магистерская диссертация на тему: Основы теории электропроводности полупроводников. Общие сведения о полупроводниках

Введение

Главы учебного пособия посвящены физическим основам полупровод-ников, контактным явлениям между полупроводниками различной прово-димости и между полупроводником и металлом. Рассматриваются принципы работы, характеристики и параметры полупроводниковых приборов: диодов, биполярных и полевых транзисторов различной структуры.

Для освоения дисциплины Физические основы электроники достаточно знаний по общеобразовательным и общетехническим предметам в объёме, предусмотренном учебными программами. После изучения данной дисциплины студент должен получить базовую подготовку, необходимую для успешного освоения специальных радиотехнических курсов и последующего решения различного рода профессиональных задач, связанных с рациональным выбором электронных приборов и режимов их работы в радиоэлектронной аппаратуре. Подробное рассмотрение физических основ явлений, принципов работы, параметров, характеристик и моделей приборов направлено на развитие у студентов умение самостоятельно решать задачи моделирования, анализа и синтеза радиоэлектронных устройств при их проектировании и эксплуатации.

Однако в учебном пособии отсутствуют сведения о большой и постоянно обновляемой номенклатуре электронных приборов. Необходимый материал по этим вопросам можно найти в справочниках, каталогах и других изданиях.

Оглавление

- Введение

- Основы теории электропроводности полупроводников

- Общие сведения о полупроводниках

- Полупроводники с собственной проводимостью

- Полупроводники с электронной проводимостью

- Полупроводники с дырочной проводимостью

- Токи в полупроводниках

- Дрейфовый ток

- Диффузионный ток

- Контактные явления

- Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия

- Прямое включение р-n перехода

- Обратное включение р-n перехода

- Теоретическая характеристика р-n перехода

- Реальная характеристика р-n перехода

- Ёмкости р-n перехода

- Разновидности р-n переходов

- Гетеропереходы

- Контакт между полупроводниками одного типа проводимости

- Контакт металла с полупроводником

- Омические контакты

- Явления на поверхности полупроводника

- Полупроводниковые диоды

- Классификация

- Выпрямительные диоды

- Стабилитроны и стабисторы

- Универсальные и импульсные диоды

- Варикапы

- Биполярные транзисторы

- Принцип действия биполярного транзистора. Режимы работы

- Общие сведения

- Физические процессы в бездрейфовом биполярном транзисторе

- Статические характеристики биполярных транзисторов

- Схема с общей базой

- Схема с общим эмиттером

- Влияние температуры на статические характеристики БТ

- Дифференциальные параметры биполярного транзистора

- Линейная малосигнальная модель биполярного транзистора

- Частотные свойства биполярного транзистора

- Способы улучшения частотных свойств биполярных транзисторов

- Работа транзистора в усилительном режиме

- Особенности работы транзистора в импульсном режиме

- Работа транзистора в режиме усиления импульсов малой амплитуды

- Работа транзистора в режиме переключения

- Переходные процессы при переключении транзистора

- Полевые транзисторы

- Полевой транзистор с р-n переходом

- Полевой транзистор с изолированным затвором МДП-ранзистор

- Литература

Список литературы

- Электронные , квантовые приборы и микроэлектроника. Под редакцией Федорова Н.Д. - М.: Радио и связь, 1998.-560 с.

- Электронные приборы. Под редакцией Шишкина Г.Г. -М.: Энергоатомиздат, 1989.-496 с.

- Батушев В.А. Электронные приборы. -М.: Высшая школа, 1980. -383 с.

- Савиных В. Л. Физические основы электроники. Методические указания и контрольные задания. СибГУТИ.