Реферат на тему: Туннельный эффект. Проявление в неоднородных структурах, использование в устройствах

Введение

Рассмотрим поведение частицы при прохождении через потенциальный барьер. Пусть частица, движущаяся слева направо, встречает на своём пути потенциальный барьер высоты U0 и ширины l (рис. 1.1). По классическим представлениям движение частицы будет таким:

U(x) - если энергия частицы будет больше высоты барьера (ЕU0),

то частица беспрепятственно проходит над барьером;

U0 - если же энергия частицы будет меньше высоты барьера

Е (ЕU0), то частица отражается и летит в обратную сторону;

сквозь барьер частица проникнуть не может.

I II III Совершенно иначе поведение частицы по законам квантовой

механики. Во-первых, даже при ЕU0 имеется отличная от ну-

0 l x ля вероятность того, что частица отразится от потенциального

Рис.1.1 Прохождение частицы барьера и полетит обратно. Во-вторых, при ЕU0 имеется ве-

через потенциальный барьер. роятность того, что частица проникнет "сквозь" барьер и ока-

жется в области III. Такое поведение частицы описывается уравнением Шрёдингера:

Оглавление

- Туннельный эффект.

- Проявление в неоднородных структурах, использование в устройствах микроэлектроники.

- Контакт металл-металл.

- Структура металл-диэлектрик-металл.

- Токоперенос в тонких плёнках.

- Туннельный пробой в р-n-переходе.

- Эффекты Джозефсона.

- Эффект Франца-Келдышева.

- Туннельный диод.

- Литература.

Список литературы

- И.В. Боднарь, Л.Г. Березуцкий "Методическое пособие к лабораторным работам по курсу ФХОМКиТ РЭС и ЭВС". Мн.; БГУИР, 1997 г.

- И.В. Боднарь, Л.Г. Березуцкий "Методическое пособие для самостоятельной работы студентов по курсу ФХОМКиТ РЭС и ЭВС. Раздел "Контактные явления". Мн.; БГУИР, 1998 г.

- Г.И. Епифанов, Ю.А. Мома "Физические основы конструирования и технологии РЭА и ЭВА". М.; "Советское радио", 1979 г.

- И.П. Жеребцов "Основы электроники". Ленинград, "Энергоатомиздат", 1985 г.

- В.В. Новиков "Теоретические основы микроэлектроники". М.; "Высшая школа", 1972 г.

- К.В. Шалимова "Физика полупроводников". М.; "Энергия", 1976 г.

- Под редакцией Г.Г. Шишкина "Электронные приборы". М.; "Энергоатомиздат", 1989 г.

- А.А. Штернов "Физические основы конструирования, технологии РЭА и микроэлектроники". М.; "Радио и связь", 1981 г.